歪みを制御した半導体表面 シリコンウエハーの表面近傍に埋め込みシリコン酸化物を形成し、その酸化物がウエハー表面に誘起する歪み分布を利用して、サイズ、配列が人為的に制御されたゲルマニウムのナノ構造を自己組織的に形成することに世界で初めて成功しました。（13ページ） 【もどる】
シリコンウエハーの表面近傍に埋め込みシリコン酸化物を形成し、その酸化物がウエハー表面に誘起する歪み分布を利用して、サイズ、配列が人為的に制御されたゲルマニウムのナノ構造を自己組織的に形成することに世界で初めて成功しました。（13ページ）
