平山祥郎
昭和53年東京大学工学部電子工学科卒業。昭和58年同大学院工学系研究科電子工学専攻博士課程修了（工学博士）。同年日本電信電話公社（現在NTT）に入社。以来、集束イオンビームによる半導体微細構造の作製、半導体メゾスコピック構造の輸送特性、高移動度半導体のバリスティック伝導特性、半導体薄膜構造・ナノ構造の輸送特性の研究に従事。現在、NTT物性科学基礎研究所量子物性研究部量子電子物性研究グループ グループリーダ。平成2?3年マックスプランク固体研究所（ドイツ、シュトットガルト）客員研究員。
平成10年からNEDO国際共同研究チーム(NTDP-98)研究代表者、平成11年からCREST相関エレクトロニクス研究プロジェクト研究代表者。Japanese Journal of Applied Physics編集委員。応用物理学会、日本物理学会、IEEE会員。
牧本俊樹
昭和58年東京大学工学部電子工学科卒業。昭和60年同大学院工学系研究科電子工学専攻修士課程修了。同年日本電信電話株式会社に入社。以来、有機金属気相成長法および流量変調エピタキシ法による結晶成長、光吸収法を用いたエピタキシャル層のその場観察、化合物半導体への高濃度不純物ドーピングに関する研究、ヘテロ接合バイポーラトランジスタの研究、走査型トンネル顕微鏡を用いたナノ構造選択成長に従事。現在は、窒化物半導体結晶成長および窒化物半導体デバイスに関する研究に従事。平成5年工学博士（東京大学）。平成5?6年カリフォルニア大学（アメリカ、サンタバーバラ）にて客員研究員。現在、NTT物性科学基礎研究所量子物性研究部ワイドギャップ半導体研究グループ 主幹研究員。応用物理学会、MRS会員。