化合物半導体マイクロ・ナノメカニカル素子 化合物半導体による量子ナノ構造とマイクロマシン技術とを融合し、量子力学的な原理に基づく新しいメカニカル素子の研究を進めています。図はInAsとAlGaSbからなる半導体へテロ構造をメカニカルカンチレバーに埋め込んだ変位検出素子です。量子力学的な効果により変位の検出感度が著しく向上することを明らかにしました。 【前ページ】 【目次へもどる】 【次ページ】
化合物半導体による量子ナノ構造とマイクロマシン技術とを融合し、量子力学的な原理に基づく新しいメカニカル素子の研究を進めています。図はInAsとAlGaSbからなる半導体へテロ構造をメカニカルカンチレバーに埋め込んだ変位検出素子です。量子力学的な効果により変位の検出感度が著しく向上することを明らかにしました。
