牧本俊樹
昭和58年東京大学工学部電子工学科卒業。昭和60年同大学院工学系研究科電子工学専攻修士課程修了。同年日本電信電話株式会社に入社。以来、有機金属気相成長法および流量変調エピタキシ法による結晶成長、光吸収法を用いたエピタキシャル層のその場観察、化合物半導体への高濃度不純物ドーピングに関する研究、ヘテロ接合バイポーラトランジスタの研究、走査型トンネル顕微鏡を用いたナノ構造選択成長に従事。現在は、窒化物半導体結晶成長および窒化物半導体デバイスに関する研究に従事。平成5年工学博士（東京大学）。平成5〜6年カリフォルニア大学（アメリカ、サンタバーバラ）にて客員研究員。現在、NTT物性科学基礎研究所量子物性研究部ワイドギャップ半導体研究グループ 主幹研究員。応用物理学会、電子情報通信学会、MRS会員。
山口浩司
昭和59年大阪大学理学部物理学科卒業。昭和61年同大学院理学研究科物理学専攻博士前期課程修了。同年日本電信電話株式会社に入社。以来、分子線エピタキシによって形成した化合物半導体の表面物性を電子線回折、走査型トンネル顕微鏡などの手法により実験的に解明する研究に従事。最近は、半導体低次元構造の弾性的、機械的性質の研究に取り組んでいる。平成元年日本応用物理学会論文賞受賞。平成7〜8年ロンドン大学インペリアルカレッジ客員研究員。平成13年からNEDO国際共同研究チーム (Nano-elasticity) 研究代表者。Japanese Journal of Applied Physics編集委員。応用物理学会、日本物理学会会員。
藤澤利正
昭和61年東京工業大学理学部応用物理学科卒業。平成3年同大学院総合理工学研究科物理情報工学専攻博士課程修了（工学博士）。同年日本電信電話株式会社（NTT）に入社。以来、集束イオンビーム・電子ビーム露光による半導体微細構造の作製、半導体量子ドットの輸送特性、単一電子ダイナミクスの研究に従事。現在、NTT物性科学基礎研究所量子物性研究部量子電子物性研究グループ。平成9〜10年デルフト工科大学（オランダ、デルフト）客員研究員。応用物理学会、日本物理学会会員。
納富雅也
昭和６３年東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻修士課程修了。同年日本電信電話（株）入社、NTT光エレクトロニクス研究所光素子研究部勤務。平成７年から８年リンシェピング大学（スウェーデン）客員研究員。平成１１年よりNTT物性科学基礎研究所。現在同所量子物性研究部フォトニックナノ構造研究グループに所属。入社以来一貫して人工ナノ構造による物質の光学物性制御及びデバイス応用の研究を行う。半導体量子細線、半導体量子箱の研究を経て、現在フォトニック結晶の研究に従事。平成14年より東京工業大学連携客員講座助教授。工学博士（東京大学）。日本応用物理学会、米国物理学会会員。