ＬＥＤ素子構造	上面から見た写真	ＬＥＤからの最短波長発光

　

最短波長210nm窒化アルミニウム（AlN）発光ダイオード 　

窒化アルミニウム（AlN）は、直接遷移型半導体中で最大のバンドギャップ6eVを有することから、波長210nmで発光する最短波長発光半導体として期待される。今回、我々は、世界に先駆け、AlNのp型およびn型ドーピングを実現し、AlN発光ダイオード（LED）の動作に成功した（18ページ）。 　

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