量子ドットの埋め込まれた
二次元フォトニック結晶スラブ構造
ナノ共振器構造(SEM像)と
その内部光電界強度(FDTD計算)

 

量子ドットフォトニック結晶ナノ共振器レーザ

 

量子ドットを有するフォトニック結晶ナノ共振器の極低閾値レーザ発振に成功した。これまで化合物半導体はSi系材料に比べ加工精度が低く、材料特有の吸収特性が共振器の光閉じ込めを劣化させていた。今回化合物半導体の加工精度を飛躍的に向上させ、材料の吸収特性を考慮した素子構造設計を行った。これにより量子ドットの自然放出のほとんどがレーザモードへ結合するようなレーザ発振動作の高効率化が実現した(45ページ)。


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