山口 浩司
昭和59年大阪大学理学部物理学科卒業。昭和61年同大学院理学研究科物理学専攻博士前期課程修了。同年日本電信電話株式会社に入社。以来、分子線エピタキシによって形成した化合物半導体の表面物性を電子線回折、走査型トンネル顕微鏡などの手法により実験的に解明する研究に従事。最近は、半導体低次元構造の弾性的、機械的性質の研究に取り組んでいる。平成５年工学博士。平成7〜8年ロンドン大学インペリアルカレッジ客員研究員。平成13〜15年度NEDO国際共同研究チーム
(Nano-elasticity) 研究代表者。平成元年および平成16年日本応用物理学会論文賞受賞。応用物理学会、日本物理学会会員。平成18年より東北大学理学部客員教授。
特別研究員
藤澤 利正
昭和61年東京工業大学理学部応用物理学科卒業。平成3年同大学院総合理工学研究科物理情報工学専攻博士課程修了（工学博士）。同年日本電信電話株式会社（NTT）に入社。以来、集束イオンビーム・電子ビーム露光による半導体微細構造の作製、半導体量子ドットの輸送特性、単一電子ダイナミクスの研究に従事。現在、NTT物性科学基礎研究所量子電子物性研究部量子固体物性研究グループリーダ。平成9〜10年デルフト工科大学（オランダ、デルフト）客員研究員。平成15年6月より、東京工業大学大学院理工学研究科客員助教授（併任）。平成15年10月サーマーティンウッド賞受賞。平成17年3月日本学術振興会賞受賞。応用物理学会、日本物理学会。
特別研究員
納富 雅也
昭和63年東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻修士課程修了。同年日本電信電話（株）入社、NTT光エレクトロニクス研究所光素子研究部勤務。平成7年から8年リンシェピング大学（スウェーデン）客員研究員。平成11年よりNTT物性科学基礎研究所。現在同所量子光物性研究部フォトニックナノ構造研究グループリーダ。入社以来一貫して人工ナノ構造による物質の光学物性制御およびデバイス応用の研究を行う。半導体量子細線、半導体量子箱の研究を経て、現在フォトニック結晶の研究に従事。平成14年より東京工業大学連携客員講座助教授。工学博士（東京大学）。2006/2007
IEEE/LEOS Distinguished Lecturer Award受賞。JJAP編集委員。日本応用物理学会、APS、IEEE/LEOS会員。
特別研究員
嘉数 誠
昭和60年京都大学工学部電気工学科卒業。平成2年同京都大学大学院工学研究科博士
課程修了（電気工学専攻、工学博士）。同年日本電信電話株式会社（NTT）に入社。以来、走査型トンネル顕微鏡（STM）を用いたナノ構造作製技術、窒化アルミニウム（AIN）、ダイヤモンド電子デバイスの研究に従事。現在、NTT物性科学基礎研究所機能物質研究部薄膜材料研究グループリーダ。平成14〜15年ウルム大学（ドイツ）客員研究員。平成13年電子材料シンポジウム(EMS)アワード受賞。東京大学、東京理科大学、立命館大学非常勤講師、窒化物半導体国際会議（ICNS-5）、ニューダイヤモンドナノカーボン国際会議(NDNC)実行委員、日本学術振興会132委員会企業幹事などを歴任。現在、応用物理学会、電子情報通信学会、日本表面科学会会員。日本表面科学会編集委員。パリ第13大学招聘教授。平成18年より総務省SCOPE「ダイヤモンド高周波電力デバイスの開発とマイクロ波・ミリ波帯電力増幅器への応用」プロジェクトリーダ