藤澤 利正
昭和61年東京工業大学理学部応用物理学科卒業。平成3年同大学院総合理工学研究科物理情報工学専攻博士課程修了（工学博士）。同年日本電信電話株式会社（NTT）に入社。以来、集束イオンビーム・電子ビーム露光による半導体微細構造の作製、半導体量子ドットの輸送特性、単一電子ダイナミクスの研究に従事。現在、NTT物性科学基礎研究所量子電子物性研究部量子固体物性研究グループリーダ。平成9〜10年デルフト工科大学（オランダ、デルフト）客員研究員。平成15年6月より、東京工業大学大学院理工学研究科客員助教授（併任）。平成15年10月サーマーティンウッド賞受賞。平成17年3月日本学術振興会賞受賞。応用物理学会、日本物理学会。
特別研究員
納富 雅也
昭和63年東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻修士課程修了。同年日本電信電話株式会社（NTT）入社、NTT光エレクトロニクス研究所光素子研究部勤務。平成7年から8年リンシェピング大学（スウェーデン）客員研究員。平成11年よりNTT物性科学基礎研究所。現在同所量子光物性研究部フォトニックナノ構造研究グループリーダ。入社以来一貫して人工ナノ構造による物質の光学物性制御およびデバイス応用の研究を行う。半導体量子細線、半導体量子箱の研究を経て、現在フォトニック結晶の研究に従事。平成14年より東京工業大学連携客員講座助教授。工学博士（東京大学）。2006/2007
IEEE/LEOS Distinguished Lecturer Award受賞。日本応用物理学会、APS、IEEE/LEOS会員。
特別研究員
藤原 聡
平成元年東京大学工学部物理工学科卒業。平成6年同大学院工学系研究科物理工学専攻博士課程修了。同年日本電信電話株式会社（NTT）に入社、LSI研究所勤務。平成8年に基礎研究所、平成11年より物性科学基礎研究所。入社以来、シリコンナノ構造の物性制御とそのデバイス応用、単電子デバイスの研究に従事。現在、NTT物性科学基礎研究所量子電子物性研究部ナノデバイス研究グループリーダ。平成15〜16年米国National
Institute of Standards and Technology (NIST、Gaithersburg）客員研究員。平成10年に国際固体素子･材料コンファレンスSSDM'98
Young Researcher Award、平成11年にSSDM'99 Paper Award受賞。平成15年および平成18年に応用物理学会JJAP論文賞受賞。平成18年文部科学大臣表彰若手科学者賞受賞。応用物理学会、IEEE会員。