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| 原子間力顕微鏡像。 |
MOVPE選択成長法により作製したステップフリーGaN表面
MOVPE選択成長法により、一辺の長さが8ミクロン（直径16ミクロン）の領域に、GaNのステップフリー面（1分子層の段差も存在しない究極的な平滑面）を初めて形成した。本成果は、窒化物半導体のヘテロ界面を単原子の精度で急峻にすることにより、発光素子の高効率化や、共鳴トンネルダイオードやカスケードレーザ等のサブバンド素子の実現に寄与することが期待される。さらに、窒化物半導体の2次元核成長過程を初めて実験的に捉え、その成長機構を詳細に検討した（16ページ）。