特別研究員
藤原 聡
平成元年東京大学工学部物理工学科卒業。平成6年同大学院工学系研究科物理工学専攻博士課程修了。同年日本電信電話（株）に入社、LSI研究所勤務。平成8年に基礎研究所、平成11年よりNTT物性科学基礎研究所。入社以来、シリコンナノ構造の物性制御とそのデバイス応用、単電子デバイスの研究に従事。現在、物性科学基礎研究所量子電子物性研究部ナノデバイス研究グループリーダ。平成15~16年米国National
Institute of Standards and Technology (NIST, Gaithersburg) 客員研究員。平成10年に国際固体素子･材料コンファレンスSSDM'98
Young Researcher Award、平成11年にSSDM'99 Paper Award受賞。平成15年および平成18年に日本応用物理学会JJAP論文賞受賞。平成18年文部科学大臣表彰若手科学者賞受賞。日本応用物理学会、IEEE会員。
特別研究員
村木 康二
平成元年東京大学工学部物理工学科卒業。平成6年同大学院工学系研究科物理工学専攻博士課程修了。同年日本電信電話（株）に入社、基礎研究所勤務。平成11年よりNTT物性科学基礎研究所。入社以来、高移動度半導体へテロ構造の結晶成長とその量子電子物性の研究に従事。現在、NTT物性科学基礎研究所量子電子物性研究部量子固体物性研究グループリーダ。平成13~14年ドイツマックスプランク研究所（シュトゥトガルト）客員研究員。日本物理学会、応用物理学会会員。
特別研究員
山口 浩司
昭和59年大阪大学理学部物理学科卒業。昭和61年同大学院理学研究科物理学専攻博士前期課程修了。同年日本電信電話（株）に入社。以来、電子線回折、走査型トンネル顕微鏡などの手法により、化合物半導体の表面物性を実験的に解明する研究に従事。約10年前より半導体ヘテロ接合構造を用いた微小機械素子の研究に取り組んでいる。平成5年工学博士。平成7~8年英国ロンドン大学インペリアルカレッジ客員研究員。平成15年独国Paul Drude研究所客員研究員。平成18年より東北大学理学部客員教授。平成20〜21年応用物理学会理事。現在、量子電子物性研究部長・ナノ加工研究グループリーダ兼務。応用物理学会、日本物理学会会員。
特別研究員
谷保 芳孝
平成8年千葉大学工学部電気電子工学科卒業。平成13年同大学院自然科学研究科多様性科学専攻博士課程修了。同年、日本電信電話（株）NTT物性科学基礎研究所、リサーチアソシエイト。平成15年、同社入社、同所勤務。現在、同所機能物質材料研究部薄膜材料研究グループ主任研究員。ワイドバンドギャップ窒化物半導体、特に窒化アルミニウム(AlN)の結晶成長、物性、デバイス応用に関する研究に従事。平成13年に応用物理学会講演奨励賞、平成19年に2007
Semiconducting and Insulating Materials Conference Young Scientist Award、平成23年に文部科学大臣表彰若手科学者賞を受賞。応用物理学会会員。
特別研究員
熊田 倫雄
平成10年東北大学理学部物理学科卒業。平成15年同大学院理学研究科物理学専攻博士課程修了。同年日本電信電話（株）に入社、NTT物性科学基礎研究所勤務。入社以来、半導体へテロ構造における量子電子物性の研究に従事。平成20年日本物理学会若手奨励賞受賞。日本物理学会会員。