転写された縦型発光ダイオード構造 転写されたAlGaN/GaNヘテロ構造写真
転写された縦型発光ダイオードからの電流注入青色発光写真
私たちは、六方晶窒化ホウ素が、窒化ガリウム系デバイス構造を他の基板に機械的に転写することができるリリース層を形成することができることを実証した。表紙の写真は、転写された縦型LED からの電流注入青色発光を示す写真である。LED 構造は、機械的に基板からリリースされ、電極をつけて、その後インジウムシート上に転写される。また、我々は、２センチメートルの正方形のAlGaN/GaN ヘテロ構造を、サファイア基板から機械的にリリースし、他の基板に転写することに成功した。（14 ページ）