特別研究員

藤原 聡
 平成元年東京大学工学部物理工学科卒業。平成6年同大学院工学系研究科物理工学専攻博士課程修了。同年日本電信電話(株)に入社、LSI 研究所勤務。平成8年に基礎研究所、平成11年より物性科学基礎研究所。入社以来、シリコンナノ構造の物性制御とそのデバイス応用、単電子デバイスの研究に従事。現在、物性科学基礎研究所量子電子物性研究部ナノデバイス研究グループリーダ。平成15〜16年米国National Institute of Standards and Technology (NIST, Gaithersburg)客員研究員。平成10年に国際固体素子・材料コンファレンスSSDM'98 Young Researcher Award、平成11年にSSDM'99 Paper Award受賞。平成15年および平成18年に日本応用物理学会JJAP論文賞受賞。平成18年文部科学大臣表彰若手科学者賞受賞。平成22 〜 23 年応用物理学会理事。応用物理学会、IEEE会員。

特別研究員

村木 康二
 平成元年東京大学工学部物理工学科卒業。平成6年同大学院工学系研究科物理工学専攻博士課程修了。同年日本電信電話(株)に入社、基礎研究所勤務。平成11年より物性科学基礎研究所。入社以来、高移動度半導体へテロ構造の結晶成長とその量子電子物性の研究に従事。現在、NTT物性科学基礎研究所量子電子物性研究部量子固体物性研究グループリーダ。平成13〜14年ドイツマックスプランク研究所(シュトゥトガルト)客員研究員。日本物理学会、応用物理学会会員。

特別研究員

谷保 芳孝
 平成8年千葉大学工学部電気電子工学科卒業。平成13年同大学院自然科学研究科多様性科学専攻博士課程修了。同年、日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所、リサーチアソシエイト。平成15年、同社入社、同所勤務。現在、同所機能物質材料研究部薄膜材料研究グループ主任研究員。ワイドバンドギャップ窒化物半導体、特に窒化アルミニウム(AlN)の結晶成長、物性、デバイス応用に関する研究に従事。平成23〜24年スイス連邦工科大学ローザンヌ校(EPFL)客員研究員。平成13年に応用物理学会講演奨励賞、平成19年に14th Semiconducting and Insulating Materials Conference (SIMC-XIV) Young Scientist Award、平成23年に文部科学大臣表彰若手科学者賞、38th International Symposium on CompoundSemiconductors (ISCS2011) Young Scientist Awardを受賞。応用物理学会会員。

特別研究員

熊田 倫雄
 平成10年東北大学理学部物理学科卒業。平成15年同大学院理学研究科物理学専攻博士課程修了。同年日本電信電話(株)に入社、物性科学基礎研究所勤務。入社以来、半導体へテロ構造における量子電子物性の研究に従事。平成20 年日本物理学会若手奨励賞受賞。日本物理学会会員。

特別研究員

西口 克彦
 平成10年東京工業大学工学部電子物理工学科卒業。平成14年同大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻博士課程終了。同年日本電信電話(株)に入社、 物性科学基礎研究所勤務。現在、同所量子電子物性研究部ナノデバイス研究グループ主任研究員。入社以来、低消費電力化・新機能化を目指したナノ構造のシリコン・デバイスの研究に従事。平成20年9月フランス National Center for Scientific Research (CNRS)客員研究員。平成12年に応用物理学会講演奨励賞、同年 International Conference on Physics of Semiconductors 2000, IUAP Young Author Best Paper Award、同年Materials Research Society 2000 Fall Meeting, Graduate Student Award Silver を受賞。応用物理学会会員。

 


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