InN単一量子井戸の格子像および散乱強度 光励起による発光スペクトル

 

GaN ステップフリー面上に形成したInN 超薄膜単一量子井戸からの
紫色狭線PL 発光
 

 単色性の極めて高い紫色発光が得られる超薄膜InN単一量子井戸(InN SQW)を作製した。このInN SQWはわずか1 分子層のInN(厚さ0.3 nm)をGaNで挟んだ構造であり、単分子層のステップも存在しない急峻なヘテロ界面を有している。そのため、量子サイズ効果による発光波長やスペクトル幅の精密な制御が実現できた。今後、InNを2 分子層、3 分子層と厚くすることにより、それぞれ、緑色および赤色の狭線発光が得られると理論的に予測される。(18 ページ)


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