特別研究員
小林直樹
昭和５０年大阪大学工学部応用化学科卒業。昭和５３年同大学院工学研究科応用化学専攻修士課程修了。同年日本電信電話公社（現在ＮＴＴ）に入社。以来、２ミクロン以上の波長を持つ半導体レーザの液相成長の研究、流量変調エピタキシ法の開発とそれによる原子層構造の研究、光を用いたＭＯＶＰＥ成長表面のその場観察の研究および最近は窒化物半導体ＭＯＶＰＥ成長の研究に従事。現在、ＮＴＴ物性科学基礎研究所量子物性研究部ワイドギャップ半導体研究グループ グループリーダ。昭和６０年工学博士（大阪大学）。昭和６１年ＣＮＥＴ研究所（フランス、パリ）客員研究員。平成３年ユタ大学客員研究員。
応用物理学会編集委員、応用物理学会薄膜表面分科会委員、日本物理学会、表面科学会会員。
本間芳和
昭和５１年東北大学理学部物理学科卒業。昭和５３年同大学院理学研究科物理学専攻修士課程修了。同年日本電信電話公社（現在
ＮＴＴ）に入社。以来、二次イオン質量分析法による半導体材料の極微量分析の研究、超高真空走査電子顕微鏡を用いた成長表面のその場観察の研究、半導体表面の原子ステップ構造制御の研究に従事。現在、ＮＴＴ物性科学基礎研究所先端デバイス研究部表面構造制御研究グループ 主幹研究員。昭和６２年工学博士（東京大学）。昭和６２年ＧＳＦ研究所（ドイツ、ミュンヘン）客員研究員。
日本分析科学会、日本質量分析学会 編集委員。日本物理学会、応用物理学会、表面科学会、日本分析科学会、日本質量分析学会会員。
平山祥郎
昭和５３年東京大学工学部電子工学科卒業。昭和５８年同大学院工学系研究科電子工学専攻博士課程修了（工学博士）。同年日本電信電話公社(現在
ＮＴＴ）に入社。以来、集束イオンビームによる半導体極微細構造の作成、半導体メソスコピック構造の輸送特性、高移動度半導体のバリスティック伝導特性、半導体薄膜構造・ナノ構造の輸送特性の研究に従事。現在、ＮＴＴ物性科学基礎研究所量子物性研究部量子電子物性研究グループ
グループリーダ。平成２〜３年マックスプランク固体研究所（ドイツ、シュトットガルト）客員研究員。
平成１０年からＮＥＤＯ国際共同研究チーム（ＮＴＤＰ−９８）研究代表者、平成１１年からＣＲＥＳＴ相関エレクトロニクス研究プロジェクト研究代表者。Japanese
Journal of Applied Physics編集委員。応用物理学会、日本物理学会、ＩＥＥＥ会員。
