報道一覧

発表月日　      新聞名
                ｢見出し｣


�T. デバイス物理

5月20日         日刊工業新聞
                NTT先端研究所／ナノ密度の回路形成／超臨界流体使い新手法

5月20日         日本工業新聞
                NTTが開発／超高密度超微細パターン形成法／デバイス加工の小型・高性能化へ

5月20日         日経産業新聞
                LSI回路パターン／超臨界流体使い洗浄／NTT超小型デバイスに道

6月4日          朝日新聞（夕刊）
               「超臨界流体」で壁破る／幅20ナノ、LSI用の配線／「パターン倒れ」を解決

6月7日          高知新聞
                ズームアップ／原子の段差　衝突見えた

6月22日         神戸新聞（夕刊） 
                ズームアップ／原子の段差の衝突／世界初「見る」ことに成功

11月4日         日経産業新聞
                シリコン酸化膜の形成/NTTが仕組み解明/ＬＳＩ性能向上に応用

11月24日        日経産業新聞
                半導体加工／レジスト幅安定／NTT、架橋剤技術を開発

12月10日        日刊工業新聞
                消費電力10万分の1／NTT　SETで論理回路

12月10日        日経産業新聞
                単電子トランジスタ／論理回路を試作　NTT

12月10日        日本工業新聞
                消費電力10万分の1／世界初 NTTが基本回路試作

1月7日          朝日新聞（夕刊）
                単電子トランジスタでコンピューターの回路／NTT、10万分の1に節電


�U. 機能物質科学

5月26日         日刊工業新聞
                鉛系で新高温超伝導体／分子線成長装置使い合成／NTT                                      

1月11日         日経産業新聞
                フォトレジスト／耐熱性など向上／NTT、C60を使い開発                                             

�V. 量子電子物性

4月23日         日経産業新聞
                セ氏４００度で安定動作／NTT、窒化ガリウム活用

10月28日        日経産業新聞
                窒化物半導体／省電力の構造に／NTTが開発　携帯電話に応用

11月8日         日経産業新聞
                Emerging Technology/窒化ガリウム使いFET/電子の移動スピード２つの薄膜層で向上/NTT物性科学基礎研究所/基板の表面を正確に把握

12月21日        日経産業新聞
                量子箱調べる素子／NTTと英大が共同開発

1月14日         日経産業新聞
                量子ホール効果を観察／NTT東北大／新型素子開発に道


�W. 量子光学・光物性

4月9日          日刊工業新聞
                科技事業団山本プロ／電子のフェルミ粒子性／半導体で直接観測

4月9日          日経産業新聞
                電子物理の原理実証／アンチバンチング効果／NTT研究員ら確認

2月2日          日本経済新聞
                通信速度1000万倍に／官民で「量子」研究着手／暗号は解読不可能

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