次世代パワーデバイスとして期待される窒化アルミニウムトランジスタを 世界で初めて良好な特性で実現

~カーボンニュートラルに寄与する低損失・高耐圧パワーデバイスの実現に向けて前進~

日本電信電話株式会社(以下「NTT」)は、高品質n型窒化アルミニウム(AlN)を用いたトランジスタ動作*1に成功しました。トランジスタは半導体パワーデバイス*2として家電や電気自動車の電力変換に使われており、その効率向上により省エネルギー化に寄与しています。ウルトラワイドバンドギャップ半導体*3のひとつであるAlNは絶縁破壊電界が高く、低損失・高耐圧パワーデバイスの実現に有望な材料です。しかし、A...

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世界初、単層グラフェンにおける巨大な反磁性の観測に成功

~グラフェンのトポロジカル物性・新機能開拓に道筋~

日本電信電話株式会社(NTT)とパリ・サクレー大学、CEA、ネール研究所、国立研究開発法人物質・材料研究機構は共同で、世界で初めて単層グラフェンにおいて巨大な反磁性効果を観測することに成功し、幾何学的位相(トポロジー)※1が果たす役割に関する新たな実験的な知見を得ることに成功しました。反磁性とは、外部から印加した磁場に対し逆向きの磁化が生じる現象です。グラフェンはグラファイトを1原子層まで薄くした...

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