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(2022年04月22日)
世界初、窒化アルミニウムトランジスタを実現
(2012年04月12日)
半導体デバイスの利用範囲を大きく広げる
世界初のGaN系半導体剥離プロセスを開発
(2006年05月17日)
世界最短波長210nmの遠紫外発光ダイオードの動作に成功
(2005年01月01日)
液体ヘリウムを必要としない超伝導トンネル接合
(2002年01月01日)
世界最高の周波数特性を持つダイヤモンド半導体の作製に成功
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