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主な研究設備: 以下の装置を用いて半導体試料の成長, プロセス, 測定を行っています.

分子線エピタキシー(MBE)装置
超高品質の半導体層構造をMBEを用いて成長しています.


電子線描画装置
電子線描画装置 (解像度: 20-50 nm) を用いて様々なナノ構造を作成しています.


試料加工に関するその他の装置
収束イオンビーム, フォトリソグラフィー, ウェット/ドライエッチング, メタル蒸着, アニールなどにより試料の加工を行っています.


MBEチャンバー付き低温走査トンネル顕微鏡(STM)
MBEチャンバーで成長した半導体を超高真空 (10-10 mbar以下) を保ったままSTMに移動することにより, 不純物の付着していないきれいな表面を調べることが出来ます.


冷凍機
希釈冷凍機 (最低温度: 10 mK), 3He, 4He冷凍機, 超伝導マグネット (最高磁場: 18 T) を用いて低温, 強磁場実験を行っています. いくつかの冷凍機では同軸ケーブルを通して高周波測定を行うことが出来ます.

3-1 Morinosato-Wakamiya, Atugi, Kanagawa 243-0198, Japan
Qauntum Solid State Physics Research Group
NTT Basic Research Laboratories
NTT