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量子ドット/ナノワイヤ
量子ドット(GaAs, Si, C分子など)における単電子輸送, 多体効果, スピン緩和など時間に依存した現象の研究を行っています. また, 単電子の電荷, スピンをナノ構造中で制御することによる量子情報処理技術の研究を行っています.
Figure: 結合半導体電荷量子ビットにおける相関コヒーレント振動
[Phys. Rev. Lett. 103, 056802 (2009)].
2次元系
GaAs/AlGaAs, Si/SiO2, InAs/GaSbヘテロ構造, グラフェン中に形成された2次元系の電子状態, 特に量子ホール状態を電気伝導, 核スピン測定を用いて研究しています.
Figure: NMRによる高移動度GaAs/AlGaAs量子ホール系における電子スピン偏極率測定 [Science 335, 828 (2012)].
低温ナノプローブ
MBEチャンバー付き低温走査トンネル顕微鏡 (STM) を用いて半導体表面, ヘテロ構造中に形成されたナノ構造における電子・正孔状態を研究しています. また, 半導体表面における単原子操作を行っています.
Figure: InAs表面に並べられたIn吸着原子による''NTT''のSTM像
[Appl. Phys. Express 4, 085002 (2011)].
3-1 Morinosato-Wakamiya, Atugi, Kanagawa 243-0198, Japan
Qauntum Solid State Physics Research Group
NTT Basic Research Laboratories
NTT