表紙の写真：100ビットを超えるフォトニック結晶光RAMチップ
従来技術では小型化と低消費電力化が困難であった光のメモリ（光RAM）の高集積化にフォトニック結晶技術により取り組んでいる。今回100個以上のナノ共振器を集積した長さ1.1ミリメートルのシリコンフォトニック結晶を作製し、100個を超える光RAMを集積し低パワーで動作することに初めて成功した。（45ページ）
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| 128個のナノ共振器をシリコンチップ上に集積した光RAMの電子顕微鏡像と波長多重光RAM動作の概念図。 |
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| 高Q値ナノ共振器中で増強される高速なcarrier plasma効果により光双安定現象を発現し、“0”、“1”を記憶する。 |
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| 集積光RAMチップ上の異なる2セットの連続4光RAMにおける4ビットランダムパルス列の書込後の読出結果（InPベースフォトニック結晶による同様の集積光RAMにて）。 |