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| (a) シリコン単電子転送素子の概略図。ゲートに印加する高周波信号(周波数f )で電子を1つずつ転送 (b) 転送誤り率の容量結合強さ依存性 |
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G. Yamahata, N. Johnson, and A. Fujiwara, Understanding the mechanism of tunable-barrier single-electron pumping: Mechanism crossover and optimal accuracy, Phys. Rev. B 103, 245306 (2021). |
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