Publication list

発表論文;

"Energy transfers in telecommunication-band region of (Sc,Er)2O3 thin films grown on Si(111)", S. Adachi, Y. Kawakami, R. Kaji, T. Tawara, and H. Omi,
,The 19th
International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures (EDISON’19), Salamanca, Spain, J. Phys. Conf. Ser. Vol. 647, PP. 012031/1-4 (2015).


"Effect of structure and composition on optical properties of Er-Sc silicates prepared from multi-nanolayer films", Adel Najar, Hiroo Omi, Takehiko Tawara, Optics Express 23 (no.6), 7021 (2015).


"Simultaneous light emissions from erbium-thulium silicates and oxides on silicon in the second and third telecommunications bands"
Maria Anagnosti, Hiroo Omi, and Takehiko Tawara, Optical Materials Express, 4(9), 1747-1755 (2014).


"Scandium effect on the luminescence of Er-Sc silicates prepared from multi-nanolayer films" Adel Najar, Hiroo Omi, Takehiko Tawara,
Nanoscale Research Letters, 9(1), 356 (2014).


"Molecular beam epitaxy of (ErxSc1-x)2O3 on for active integrated optical device", H. Omi, T. Tawara, T. Hozumi, R. Kaji, S. Adachi, H. Gotoh, and T. Sogawa, Proceedings of 2nd internatinal conference on Photonics, optics and laser technology, page 175-179 (2014).


“Light emission from thulium silicates and oxides for optical amplifiers on silicon in the extended optical communications band”
H. Omi, A. Hagiwara, T. Tawara,
AIP Adv. Vol.3, pp. 072122/1-5 (2013).



“Population dynamics in epitaxial Er2O3 thin films grown on Si(111)”
T. Tawara, H. Omi, T. Hozumi, R. Kaji, S. Adachi, H. Gotoh, T. Sogawa,
Appl. Phys. Lett. Vol. 102, pp. 241918/1-4 (2013).



“Mixture formation of ErxYb2-xSi2O7 and ErxYb2-xO3 on Si for broadening the C-band in an optical amplifier”
H. Omi, Y. Abe, M. Anagnosti, T. Tawara,
AIP Adv. Vol. 3, pp. 042107/1-6 (2013).



“Electroluminescence from Er3+ incorporated into silicon oxide thin film on silicon in a scanning tunneling microscope”
J. Fiala, H. Omi, T. Tawara,
J. Nanophotonics Vol. 6 pp. 063503/1-8 (2012).



“Energy transfers between Er3+ ions located at the two crystallographic sites of Er2O3 grown on Si(111)”
H. Omi, T. Tawara,
Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 51 pp.02BG07/1-3 (2012).



“Real-time synchrotron radiation X-ray diffraction and abnormal temperature dependence of photoluminescence from erbium silicates on SiO2/Si substrates”
H. Omi, T. Tawara, M. Tateishi,
AIP Adv. Vol. 2, pp. 012141/1-7 (2012).



"Determination of Aspect-ratio Distribution in Gold Nanowires using Absorption Spectra and Transmission Electron Microscopy Techniques"
H. Omi,
Chapter 8 in the book of transmission electron microscope, edited by Maaz Khan (ISBN 979-953-307-311-7) pp.127-146 (2012).


T. Kawamrua and H. Omi, " Depth-selective structural analysis of thin films using to total-external-reflection X-ray diffraction", J. Phys. Conds. Mat., 22, 474009 (2010).


V. Tonchev, B. Ranguelov, H. Omi, A. Pimpinelli, “Scaling and universality in models of step bunching: the “C+-C-”model” Eur. Phys. J. B Vol. 73, pp.539-546 (2010).


"Stability-instability transition of reaction front during thermal silicon oxidation"

H. Omi, H. Kageshima, T. Kawamura, M. Uematsu, Y. Kobayashi, S. Fujikawa, Y. Tsusaka, Y. Kagoshima, J. Matsui,

Physical Review B 79, 245319 (2009)


"Optical and electrical characterization at nanoscle with transparent probe of a scanning tunneling microscope"

Ilya Sychugov, H. Omi, T. Murashita, Y. Kobayashi,

Nanotechonology 20, 145706 (2009)



"Grazing incidence small angle x-ray scattering study for determining structure and composition of multi-stack Ge nanowires on Si(113)"

K. Omote, H. Omi, and T. Kawamura,

Transactions of the Materials Research Society of Japan, 33, 535-539 (2008).


"Depth Distribution of Ge Fraction in Very-Thin-SGOI Layers Using Total-External-Reflection X-ray Diffraction"

T. Kawamura, H. Omi, M. Mizumaki, and S. Kimura,

Transactions of the Materials Research Society of Japan, 33, 599-602 (2008).


"Scaling and Universality in Models of Step Bunching: The "C(+) - C(-)" Model"

V. Tonchev, B. Ronguelov, H. Omi, A. Pimpinelli, Eur. Phys. J. B 74, 539-546 (2010).


"On the Role of Substrate in Light Harvesting Experiments"

Ilya Sychugov, Hiroo Omi, and Yoshihiro Kobayashi

Optics Letters 33, 1807-1809 (2008).


"Modeling tip performance for combined STM-luminescence and aperture-SNOM scanning probe: Spatial resolution and collection efficiency"

Ilya Sychugov, Hiroo Omi, Tooru Murashita, Yoshihiro Kobayashi,

Appl. Surf. Sci. 254, 7861-7863 (2008).



”ナノシリコン層の歪解析”

尾身博雄、川村朋晃、小林慶裕、藤川誠司、津坂佳幸、篭島靖、松井純爾

真空 Vol. 51 No. 5 p 298-300 (2008)



"斜入射X線回折によるシリコンナノ薄膜の歪解析"

尾身博雄、川村朋晃、小林慶裕、藤川誠司、津坂佳幸、篭島靖、松井純爾

表面科学 Vol. 28 No. 12. pp 678-681 (2007).



"Influence of the local enviroment on determining aspect ratio distributions of gold nanorods in solution using Gans theory"

Daan P. Sprunken, Hiroo Omi, Kazuaki Furukawa, Hiroshi Nakashima, Ilya Sychugov, Yoshihiro Kobayashi, and Keiichi Torimitsu,

J. Physical Chemistry C 111, 14299 (2007)


"New universality class for step bunching in the "C+-C-" model"

B. Ranguelov, V. Tonchev, H. Omi, A. Pimpinelli,

CR de l'Acad. Bulg. Sci. 60, 4, 389 (2007).



「シリコン/酸化膜界面ラフネスとその形成機構」
尾身博雄、影島博之、植松真司
応用物理学会 薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共済特別研究会報告
ゲートスタック研究会 −材料・プロセス・評価の物理-(第12回研究会) p119 (2007) 



”半導体ナノスケール薄膜の歪解析”
尾身博雄、川村朋晃
NTT技術誌 Vol. 19. No.2 p17 (2007)


"Analysis of strain in semiconductor nanoscale thin films"

Hiroo Omi and Tomoaki Kawamura,

NTT Technical Review, November 2006 Vol. 4 No. 11, p31-35 (2006)



"Scaling and universality of roughening in thermal oxidation of Si(001)"

Hiroo Omi, Hiroyuki Kageshima, and Masashi Uematsu,

Physical Review Letters 97, 016102-1-4 (2006)



"Grazing incidence x-ray diffraction of thin silicon overlayers on insulator at ultra small incident angle"

H. Omi and T. Kawamura

KEK Proceedings 2006-3 August p 135 (2006).



"Structural study for Ge nanowires on Si(113) by grazing incidence x-ray scattering"

Kazuhiko Omote, Tomoaki Kawamura, Hiroo Omi,

KEK Proceedings 2006-3 August p 62 (2006).



"異常分散X線回折法を用いたSGOI基板の歪および組成解析”

川村朋晃、尾身博雄、木村滋、坂田修身、竹田晋吾

先端大型研究施設戦略活用プログラム成果報告書 H17 (2005B) P114



"MEISとSTMによる表面ナノ構造の解析” 

住友弘ニ、尾身博雄、Zhaohui Zhang、荻野俊郎

真空 解説 Vol. 49, No. 5, page 277-281 (2006).



"In-plane strain in ultrathin silicon layers buried in SiO2"

H. Omi, T. Kawamura, Y. Kobayashi, Y. Tsusaka, Y. Kagoshima, J. Matsui,

Spring-8 User Experiment Report 2005B



"Strain distribution in thin silicon overlayers on insulator"

H. Omi and T. Kawamura,

SPring-8 Research Frontiers 2005, p54-55 (2005) (Invited review)



"New types of unstable step-flow growth on Si(111)-7x7 during molecular beam epitaxy: Scaling and universality"

Hiroo Omi, Yoshikazu Homma, Vesselin Tonchev, Alberto Pimpinelli,

Physical Review Letters 95, 216101 (2005).
Virtual Journal of Nanoscale Scince & Technology



"Self-ordering on vicinal Si(111) during molecular beam epitaxy"

Hiroo Omi and Yoshikazu Homma,

Physical Review B 72, 195322 (2005).
Virtual Journal of Nanoscale Scince & Technology



「シリコンナノ薄膜の微小な歪分布を解析」

日経ナノビジネス No. 18 p8 (2005)



「Si表面におけるナノ構造の自己形成制御」

尾身博雄、住友弘ニ、荻野俊郎

固体物理 Vol. 40, No. 7 p485 (2005)


"In-plane strain distribution in the surface region of thin silicon overlayers on insulator"

Hiroo Omi, Tomoaki Kawamura, Seiji Fujikawa, Yoshiyuki Tsusaka, Yasushi Kagoshima, Junji Matsui,

Applied Physics Letters 86, 263112 (2005).



"Grazing incident x-ray diffraction from thin silicon overlayers in a SIMOX wafer"

H. Omi, T. Kawamura, S. Fujikawa, Y. Tsusaka, Y. Kagoshima, J. Matsui,

Spring-8 User Experiment Report No. 14, p287 (2005).



"Anomalous X-ray Scattering Analysis of Multilayer Germanium Naonowires"

T. Kawamura, H. Omi, S. Kimura, S. Takeda, S. Fujikawa, M. Mizumaki,

Spring-8 User Experiment Report No. 14, p230 (2005).



"Development of anomalous x-ray diffraction measurements using a beam position stabilized MOSTAB"

S. Kimura, S. Takeda, M. Mizumaki, T. Kawamura, H. Omi

Spring-8 User Experiment Report No. 14, p315 (2005).



"Separation by bonding Si islands for CMOS LSI application"

T. Yamazaki, S. Ohmi, S. Morita, H. Ohri, J. Murota, M. Sakuraba, H. Omi, T. Sakai

IEICE TRANS. ELECTRON. volE88-C, no4, p656, April (2005).




"Separation by bonding Si islands for LSI application",

Y. Yamazaki, S. Ohmi, S. Morita, H. Ohri, J. Murota, M. Sakuraba, H. Omi, Y. Takahashi, T. Sakai

Materials Sciecne in Semiconductor Processing Vol.8 issues 1-3, p59 (2005)




"Stiffness of step bunches on Si(111)"

H. Omi and Y. Homma,

Jpn. J. Appl. Phys. 43, L822 (2004) (Express Letter)



"Structure transition of Ge/Si(1 1 3) surfaces during Ge epitaxial growth "

Zhaohui Zhang, Koji Sumitomo, Feng Lin, Hiroo Omi, and Toshio Ogino,

Physica E 24, 157 (2004).




"X-ray reflectivity measurement on the SiO2/Si(001) interface formed at high temperatures"

H. Omi, T. Kawamura, S. Fujikawa, Y. Tsusaka, J. Matsui,

Spring-8 User Experiment Report No. 12, p289 (2004).



"X-ray Scattering Measurement of Germanium Nanowires on Silicon(113) Substrate"

T. Kawamura, H. Omi, S. Fujikawa, C. Walker, and O. Sakata,

Spring-8 User Experiment Report No. 12, p75 (2004).



"Ge molecular beam epitaxy on Si(113): surface structures, nanowires, and nonodots"

Z. Zhang, K. Sumitomo, H. Omi, T. Ogino, X. Zhu,

Surface and Interface Analysis, 36, 114 (2004).



”表面・界面歪の制御によるナノ構造の自己組織化”(表面科学会 会誌賞受賞 2005年)

荻野俊郎、本間芳和、住友弘二、尾身博雄、David Bottomely, Zhaohui Zhang,

表面科学 Vol. 25, No. 1, pp. 42-48, 2004



"CTR Observation of Stepped SiO2/Si Interface at Grazing Condition"

T. Kawamura, H. Omi, S. Fujikawa, J. Matsui, and T. Tsusaka,

SPring-8 User Experiment Report No. 11 (2003A), p327, C03A24XU-5092N.



"Design of atomic step networks on Si (111) through strain distribution control"

H. Omi, Y. Homma, T. Ogino, S. Stoyanov, and V. Tonchev,

Journal of Applied Physics, 95, 263-266 (2004).



“Wafer-scale strain engineering on silicon for fabrication of ultimately controlled nanostructures”

H. Omi, D. J. Bottomley, Y. Homma, and T. Ogino,

Physical Review B 67, 115302- 1-10 (2003).



“Shape of atomic steps on Si(111) under localized stress”

H. Omi, D. J. Bottomley, Y. Homma, T. Ogino, S. Stoyanov, and V. Tonchev,

Physical Review B 66, 085303- 1-5 (2002).


“Strain distribution control on the silicon wafer scale for advanced nanostructure fabrication”

H. Omi, D. J. Bottomley, and T. Ogino,

Applied Physics Letters 80, 1073 - 1075 (2002).




“Origin of self-assembled step and terrace formation at the Si(001)-SiO2 interface”

D. J. Bottomley, H. Omi, Y. Kobayashi, M. Uematsu, H. Kageshima, and T. Ogino

Physical Review B 66, 035301- 1-5 (2002).


“Design of Si surface for self-assembled nanoarchitecture”

T. Ogino, Y. Homma, Y. Kobayashi, H. Hibino, K. Prabhakaran, K. Sumitomo, H. Omi, S. Suzuki, T. Yamashita, D. J. Bottomley, F. Lin, and A. Kaneko,

Surface Science 514, 1 - 9 (2002).




“高温酸化時のシリコン/酸化膜界面反応機構”

尾身博雄D. J. ボトムリー小林慶裕、植松真司、影島博之、荻野俊郎

極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性 第8回特別研究会報告、 93- 98 (2003).



 “Anisotropical strain relaxation of Ge nanowires on Si(113) studied by medium-energy ion scattering”

K. Sumitomo, H. Omi, Z. Zhang, and T. Ogino,

Physical Review B 67, 035319- 1-4 (2002).


“Optical properties of self-assembled Ge wires grown on Si(113)”

M. P. Halsall, H. Omi, and T. Ogino,

Applied Physics Letters 81, 2448 - 2450 (2002).


“Structural stability of the Ge/Si(113)-2x2 surface”

J. Nakamura, Z. Zhang, K. Sumitomo, H. Omi, T. Ogino, and A. Natori,

Applied Surface Science 212/213, 724 - 729 (2003).



“Atomic Structures of the Ge/Si(113)-(2x2) Surface”

Z. Zhang, K. Sumitomo, H. Omi, T. Ogino, J. Nakamura, and A. Natori,

Physical Review Letters 88, 256101- 1-4 (2002).


“Proof of kinetic influence in Ge nanowire formation on Si(113)”

K. Sumitomo, Z. Zhang, H. Omi, D. J. Bottomley, and T. Ogino,

Journal of Crystal Growth 237-239, 1904 - 1908 (2002).



“Influences of the Si(113) anisotropy on Ge nanowire formation and related island shape transition”

Z. Zhang, K. Sumitomo, H. Omi, and T. Ogino,

Surface Science 497, 93 - 99 (2002).


“The stress and strain in cubic films on (113), emphasizing Ge on Si(113)”

D. J. Bottomley, H. Omi, and T. Ogino,

Journal of Crystal Growth 225, 16 - 22 (2001).



“Chemical structure of the Si(001)-SiO2 interface formed at high temperature”

H. Omi, S. Suzuki, Y. Watanabe, and T. Ogino,

Photon Factory activity report, IC/2001C009, (2001).


“Positioning of self-assembling Ge islands on Si(111) mesa by using atomic steps”

H. Omi and T. Ogino,

Thin Solid Films 369, 88 - 91 (2000).



“Growth induced atomic step ordering on vicinal surfaces of patterned and nonpatterned Si(111)”

H. Omi and T. Ogino,

Thin Solid Films 380, 15 - 19 (2000).



“Ge/Si(113)-2×2表面の構造安定性と応力異方性

中村淳、Z. Zhang、住友弘二、尾身博雄、荻野俊郎、名取晃子、

表面科学 24, p527(2003)



“高指数Si基板上のGe島の自己組織化”

尾身博雄、荻野俊郎

金属学会誌 まてりあ 第4012991 (2001).




“Self-organization of Ge islands on high index Si surfaces”

H. Omi and T. Ogino,

Physical Review B 59, 7521 - 7528 (1999).



“Fabrication and integration of naostructures on Si surfaces”

T. Ogino, H. Hibino, Y. Homma, Y. Kobayashi, K. Prabhakaran, K. Sumitomo, and H. Omi,

Accounts of Chemical Research 32, 447 - 454 (1999).



“Control of atomic step arrangements on a patterned Si(111) substrate by using molecular bema epitaxy”

H. Omi and T. Ogino,

Journal of Vacuum Science and Technology A 17, 1610 - 1614 (1999).



“ナノ界面 界面研究の新しい視点

荻野俊郎、日比野浩樹、P. Kuniyil尾身博雄

応用物理学会薄膜物理分科会 News Letter No.107 (1999).



“Self-organization of nanoscale Ge islands in Si/Ge/Si multilayers”

H. Omi and T. Ogino,

Applied Surface Science 130-132, 781 - 785 (1998).




自己組織化によるSiナノ構造のウェーハスケール制御

荻野俊郎、本間芳和、日比野浩樹、小林慶裕、住友弘二、Kuniyil Prabhakaran
尾身博雄

表面科学 第19巻,557 (1998).



“Si/Ge/Si(113)積層構造におけるGeナノ細線の自己組織化

尾身博雄、荻野俊郎

電気学会電子材料研究会資料(EFM-97-3), 13 - 18 (1997).



“Self-assembled Ge nanowires grown on Si(113)”

H. Omi and T. Ogino,

Applied Physics Letters 71, 2163 - 2165 (1997).



“Polarity propagation in the InSb/α-Sn/InSb heterostructure”

H. Omi, H. Saito, and T. Osaka,

Physical Review Letters 72, 2596 - 2599 (1994)



“Surface phase transition and interface interaction in the α-Sn/InSb{111} system”

T. Osaka, H. Omi, K. Yamamoto, and A. Ohtake,

Physical Review B 50, 7567 - 7572 (1994).



“Surface process in epitaxially growing α-Sn films on InSb{111}”

T. Osaka, H. Omi, K. Yamamoto and A. Ohtake,

Proceedings of the Sixth Topical Meeting on Crystal Growth Mechanism (Atagawa, 1993), 301.



“Epitaxy on InSb substrates: <α-Sn on InSb{111}>”

T. Osaka, K. Yamamoto, and H. Omi,

Proceedings of the Fourth Topical Meeting on Crystal Growth Mechanism (Tokyo, 1991), 83.



“ヘテロ構造における極性伝播の不思議を探る”

尾身博雄

金属学会誌 まてりあ 第
339(1994).



“基板表面構造に依存した薄膜成長過程 −表面構造の決定から超格子の作製まで−”

大竹晃浩、尾身博雄、中田俊隆、大坂敏明、

日本結晶成長学会誌 第21巻5号 353 (1994).





記事


日経産業新聞

掲載日:05/08/01

タイトル:”シリコンナノ薄膜のひずみ解析”



日経先端技術 15号p7- 8, (2002).

表面の歪を使ってナノ構造形成

従来技術だけで近未来デバイスに展望



日経産業新聞

掲載日: 02/06/24

タイトル:NTT、微細ドット構造作製”



"Si(111)上のバンチステップのスティフネス"

尾身博雄、本間芳和

応用物理、Vol. 73 No. 7 page 972 (2004)







国際会議発表

(招待講演)


"Advanced SOI Interface Characterization using Normal and Anomalous Grazing Incidence X-ray Diffraction"

H. Omi, T. Kawamura, Y. Kobayashi,

215th ECS Meeting -San Francisco, CA, USA, May 24 - 29 (2009).



"Stabiity-instability transition of reaction front during thermal silicon oxidation"

H. Omi,

Symposium on Surface and Nano Science 2009 (SSNS'09), Shizukuishi, Iwate, Japan Jan. 27-30 (2009).




"Determination of aspect ratio distribution of gold nanorods from absorption spectra using Gans theory"

The sixteenth annual international conference on composites/nano engineering (ICCE 16), Kunming, China.

H. Omi, D. Sprunken, K. Furukawa, H. Nakashima, I. Sychugov, Y. Kobayashi, K. Torimitsu, July 20 -26 (2008).



Gordon Research Conference June 24-29, 2007, South Hadley, USA

Hiroo Omi



The 17th Symposium of The materials Research Society of Japan,

"Thermally induced strains of semiconductor-on-insulators for new generation silicon devices"

T. Kawamura, H. Omi, S. Fujikawa, and J. Matsui, Dec. 8- 10, 2006 G-05-I, p162



"Step instabilities on vicinal Si(111) during molecular beam epitaxy"

Hiroo Omi

1st nonVIRTual Metting "Instabilities at Surfaces" (satellite meeting of Nanophen International Workshop"Sheding light on the Nanoworld:

Ordered and Disordered Nanostructures") Sep. 29 - Oct. 01 (2006), Bulgaria.




"Step pattern formation on Si(111) during molecular beam epitaxy"

H. Omi,

Symposium on Surface Physics 2006 (SSP'06), G-3, Shizukuishi, Iwate, Japan Jan. 10-13 (2006).


“Stiffness of step bunches on Si(111)”

H. Omi and Y. Homma,

Crystalization and electrocrystalization: Fundamentals and applications (CEFA 2005)

Varna, Bulugaria, May. 21 - Mar. 28 (2005).



“Shape of atomic steps on Si(111) under localized stress”

H. Omi, D. J. Bottomley, Y. Homma, T. Ogino, S. Stoyanov, and V. Tonchev,

IV East West Surface Science Workshop Nanostructures on surfaces (EWSSW’02),

Pamporovo, Bulugaria, Feb. 24 - Mar. 1 (2002).

International Advisory Board



"Integration of semiconductor nanostructures and interconnections for future self-assembled nano-architechture"

T. Ogino, Y. Homma, Y. Kobayashi, H. Hibino, K. Prabhakaran, K. Sumitomo, H. Omi, S. Suzuki, T. Yamashita, F. Lin, and A. Kaneko,

Nanoarchitectonics Using Suprainteractions, Los Angels, USA (March, 2002).



"Bottom-up approach for future Si integration technology"

T. Ogino, Y. Homma, Y. Kobayashi, H. Hibino, K. Prabhakaran, K. Sumitomo, H. Omi, S. Suzuki, T. Yamashita, F. Lin, and A. Kaneko,

Flip Chip & Chip Scale Europa 2002, Bueblingen, Germany (March, 2002).




“Control of surface structures on Si for self-assembled Ge nanostructures”

H. Omi,

International Conference on Science and Techonology of Nanostructured Materials (STNM), Puri, India, (2001).




"Si surface design for nanostructure self-assembly"

T. Ogino, Y. Homma, Y. Kobayashi, H. Hibino, P. Kuniyil, K. Sumitomo, H. Omi, D. Bottomley, and Z. Zhang,

Symposium on Surface Science, 2001 (3S'01), Furano, Japan (January, 2001).




"Self-assembly process for quantum structures on Si wafers"

T. Ogino, Y. Homma, Y. Kobayashi, H. Hibino, P. Kuniyil, K. Sumitomo, H. Omi, D. Bottomley, and Z. Zhang,

6th International Symposium on Advanced Physics Field-Growth of Well-Defined Nanostructures (APF-6), Tsukuba, Japan (March, 2001).



"Atomic structure control on Si surfaces and its application to nanofabrication"

T. Ogino, Y. Homma, Y. Kobayashi, H. Hibino, K. Prabhakaran, K. Sumitomo, H. Omi, D. Bottomley, F. Lin, Z. H. Zhang, and A. Kaneko,

International Workshop on Atomic-Scale Surface Dynamics of Advanced Materials, Izunagaoka, Japan (November, 2001).



"Design and functionalization of Si surfaces for self-assembled nano-architechture"

T. Ogino, Y. Homma, Y. Kobayashi, H. Hibino, K. Prabhakaran, K. Sumitomo, H. Omi, S. Suzuki, T. Yamashita, D. Bottomley, F. Lin, and A. Kaneko,


Yamada Conference LVII, Atomic-Scale Surface Designing for Functional Low-Dimensional Materials, Tsukuba, Japan (November, 2001).



“Control of Si surfaces for fabrication of integrated functional nanostructures”

T. Ogino, Y. Homma, H. Hibino, Y. Kobayashi, P. Kuniyil, K. Sumitomo, H. Omi, and P. Finnie,

American Chemical Society, The Spring 2000 Meeting (2000).



"Control of atomic structures on Si surfaces for wafer-scale nanointegration"

T. Ogino, Y. Homma, Y. Kobayashi, H. Hibino, P. Kuniyil, K. Sumitomo, H. Omi, D. Bottomley, and Z. Zhang,

International Symposium on Advanced Science and Technology of Si Materials, Kona, USA (November, 2000).



"Control of Si surface for quantum-dot network devices"

T. Ogino, Y. Homma, Y. Kobayashi, H. Hibino, P. Kuniyil, K. Sumitomo, H. Omi, D. Bottomley, and Z. Zhang,

4th International Workshop on Quantum Functional devices (QFD2000), Kanazawa, Japan (November, 2000).



"Bottom-up approach for nanointegration"

T. Ogino, Y. Homma, Y. Kobayashi, H. Hibino, P. Kuniyil, K. Sumitomo, H. Omi, and Z. Zhang,

Nanoarchitectonics using Suprainteraction (NASI1), Tsukuba, Japan (November, 2000).



"Control of Si surfaces for fabrication of integrated functional nanostructures"

T. Ogino, Y. Homma, H. Hibino, Y. Kobayashi, K. Prabhakaran, K. Sumitomo, H. Omi, and P. Finnie,

American Chemical Society National Meeting (ACS), San Francisco, USA (March, 2000).



"Nano-integration and novel material growth through Si surface structure control"

T. Ogino, H. Hibino, Y. Homma, Y. Kobayashi, K. Prabhakaran, K. Sumitomo, H. Omi, and P. Finnie,

First Workshop on Advanced Material (IUPAC), Hong Kong, China (July, 1999).



"Control of atomic level structures on a wafer scale"

T. Ogino, Y. Homma, Y. Kobayashi, H. Hibino, K. Prabhakaran, K. Sumitomo, H. Omi, and P. Finnie,

5th International Conference on Atomically Controlled Surfaces Interfaces and Nanostructures (ACSIN-5), Aix en Provence, France (July, 1999).




"Atomic-step-networks for nanopatterning on Si surfaces"

T. Ogino, Y. Homma, H. Hibino, Y. Kunii, and H. Omi,

MNC'98, Kyoungju, Korea (July, 1998)




一般講演(講演予定も含む*)


"In-situ optical and electrical characterization at nanoscale by a transparent probe of a scanning tunneling microscope"(Oral)

I. Sychugov, H. Omi, T. Murashita, Y. Kobayashi,

Material Research Society (MRS), Boston, Nov. 30 - Dec. 4 (2008).



"On the collection of Light from a nanoparticles at the interface" (Oral)

I. Sychugov, H. Omi, Y. Kobayashi,

International symposium on surface science and nanotechnology (ISSS-5), Waseda, Japan. Nov. 9-13, 2008.



"Temperature dependent roughening at the growing SiO2/Si(001) interface"

H. Omi, H. Kageshima, M. Uematsu, T. Kawamura, Y. Kobayashi, S. Fujikawa, Y. Tsusaka, Y. Kagoshima, J. Matsui

International symposium on surface science and nanotechnology (ISSS-5), Waseda, Japan. Nov. 9-13, 2008.



“Optical and electrical properties of nanostructures probed by a transparent STM tip”

I. Sychugov, H. Omi, T. Murashita, Y. Kobayashi, Optical Complex System, Cannes, France 2008年3月17-20日



“STM and SNOM Type of Scanning Probe Microscopes in the Same Unit: Towards Electrical Modification and Optical Characterization at Nanoscale”

I. Sychugov, H. Omi, T. Murashita, Y. Kobayashi, APS March Meetin, Luisiana, USA 2008年3月10-14日



"Combined electrical and optical characterization at nanoscale by transparent STM tips

I. Sychugov, H. Omi, T. Murashita, Y. Kobayashi, S4-92, 15th Internationl colloquium on Scaning probe microsocpy (ICSPM15)、Izu Atagawa, 2007年12月6-8日



“Electro- and photoluminescence from semiconductor nanostructures by a transparent STM tip: spatial resolution and collection efficiency”

I. Sychugov, H. Omi, T. Murashita, Y. Kobayashi, ACSIN, Tokyo, Japan 2007年11月11-15日



"Critical influence of the medium dielectric constant on the determination of gold nanorods aspect ratio from absorption spectra"

D. P. Sprunken, H. Omi, K. Furukawa, I. Sychugov, Y. Kobayashi, K. Torimitsu,

ナノオプティクス研究グループ第16回 研究討論会(神戸)2007年7月13-14日



"Strain analysis of nanoscale semiconductor thin films by grazing incidence x-ray diffraction"

H. Omi, T. Kawamura, Y. Kobayashi, S. Fujikawa, Y. Tsusaka, Y. Kagoshima, and J. Matsui,

Symposium on Surface and Nano Science 2007 (SSNS'07) Jan. 23-26, 2007.



"Inhomogeneous strain in thin silicon films analyzed by grazing incidence x-ray diffraction"

H. Omi, T. Kawamura, Y. Kobayashi, S. Fujikawa, Y. Tsusaka, Y. Kagoshima, and J. Matsui,

2006 International Conference on Solid State and Materials (SSDM 2006) Sep. 15 (2006) I-8-3



"Strain and thermal stability of thin silicon overlayers on and between SiO2"
(BEST POSTER AWARD)

H. Omi, T. Kawamura, Y. Kobayashi, S. Fujikawa, Y. Tsusaka, Y. Kagoshima, and J. Matsui,

European Material Research (E-MRS IUMRS ICEM 2006 Spring Meeting, Nice, France, May 29 - June 2, 2006)



"New Universality Class for Step Bunching in the C+ - C-・model"

B. Ranguelov, V. Tonchev, H.Omi, A.Pimpinelli

7th Workshop NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY Sofia, November 24-25, 2005



"Strain Field Influence on Si(001) Surface Self-organization. 2D Monte Carlo Simulation"

Nita Florin, Alberto Pimpinelli, and Hiroo Omi

2005 Materials Research Society Fall Meeting, Boston, Nov. 28-Dec. 2



"Self-ordering on vicinal Si(111) during molecular beam epitaxy"

Hiroo Omi and Yoshikazu Homma,

International Symposium on Surface Science and Nanotechnology (ISSS-4) 2005, Saitama, Japan



"Internal Strain Composition of Burried Ge Nanowires on Si(113) Using Anomalous X-ray Scattering Technique"

Tomoaki Kawamura, Hiroo Omi, Shigeru Kimura, Shingo Takeda, Masaichiro Mizumaki,

Fourth International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-4), Awaji island, hyogo, May 23-26. 2005.



"Internal strain of multilayer germanium nanowires on Si(113)"

T. Kawamura, H. Omi, S. Kimura, T. Takeda, M. Mizumaki,

International conference on nanoelectronics, nanostructures, and carrier interactions, Atsugi (2005)



"Stiffness of step bunches on Si(111)"

H. Omi and Y. Homma,

Symposium on Surface Physics 2005 (SSP'05), Shizukuishi, Iwate, Japan Jan. 26-29 (2005).



" Observation of strain state of Ge nanowires on Si(113) using MEIS",

K. Sumitomo, Z. Zhang, H. Omi, T. Ogino, IISC-15, Ise (2004)



"New types of unstable step-flow growth on Si(111)-7x7 during molecular beam epitaxy: Scaling and universarity classes"

Hiroo Omi, Yoshikazu Homma, Vesselin Tonchev, and Alberto Pimpinelli,

ICCG-14, Grenoble (2004).



"Separation by bonding Si islands (SBSI) for advanced CMOS LSIs - A study on selective etching of SiGe layers for SBSI

process -" T. Ymazaki, S. Ohmi, S. Morita, H. Ohri, J. Murota, M. Sakraba, H. Omi, and T. Sakai,

2004 Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices



"Separation by Bonding Si Islands (SBSI) for LSI applications"

T. Sakai, T. Yamazaki, S. Ohmi, H. Ohri, J. Murota, M. Sakuraba, H. Omi, and Y. Takahashi

Semicon international SiGe technology and device meeting, Frankfrut, Germanny. May 2004




"Si(001) Surface Self-organization under strain field influence. 2D Monte Carlo Simulation"

F. Nita, A. Pimpinelli, H. Omi

Europian Material Research Society E-MRS Spring Meeting Strasbourg, May, 2004



"Design of atomic step networks on a silicon surface through strain engineering"

H. Omi, Y. Homma, T. Ogino, S. Stoyanov, and V. Tonchev,

Symposium on Surface Physics 2004 (SSP'04), Jan. 21-24, Shizukuishi, Iwate.



"Kinetics of thermal oxidation at the Si(001)-SiO2 interface; Revsited from high temperature"

H. Omi, M. Uematsu, H. Kageshima, and T. Ogino

Material Research Society Fall Meeting, Boston, USA Dec. 1-5, 2003



"Design of atomic step networks on Si(111) through strain distribution control"

H. Omi, Y. Homma, T. Ogino, S. Stoyanov, and V. Tonchev,

7 th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-7), Nara, 2003



"Stractural stability and surface stress on Ge/Si(113)-2x2"

J. Nakamura, Z. Zhang, K. Sumitomo, H. Omi, T. Ogino, and A. Natori,

7 th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-7), Nara, 2003



"Wafer-scale strain engineering on Si(111) for design of atomic step networks"

H. Omi, Y. Homma, T. Ogino, S. Stoyanov, and V. Tonchev,

International Symposium on Functional Semiconductor Nanosystem, FNSN2003 (Nov. 2003)



"Structure Transition of Ge/Si(113) Surfaces during Ge Epitaxial Growth"

Z. Zhang, K. Sumitomo, F. Lin, H. Omi, and T. Ogino.

International Symposium on Functional Semiconductor Nanosystem, FNSN2003 (Nov. 2003)



“Confinement and dynamics of hole states localized in Ge quantum dots and nanowires grown on Si”

M. P. Halsall, A.D.F. Dumbar, H. Omi, T. Ogino, Y. Shiraki, M. Miura, and J.-P. R. Wells,

International Conference on Dynamical Processes in Exited States of Solids (DPC’03), Christchurch, New Zealand (2003).




“Structural stability and anisotropic stress of the Ge/Si(113)-2x2 surface”

J. Nakamura, Z. Zhang, K. Sumitomo, H. Omi, T. Ogino, and A. Natori,

22nd European Conference on Surface Science (ECOSS22), Praha, Czech Republic (2003).




“Decay process of pyramidal islands on Si(001) studied by Monte Carlo simulation”

F. Nita, A. Pimpinelli, and H. Omi,

17th Journees Surfaces et Interfaces, Villeneuve, France, (2003).




“Anisotropic surface stress of Ge/Si(113)-2×2”

J. Nakamura, Z. Zhang, K. Sumitomo, H. Omi, T. Ogino, and A. Natori,

Dr. Rohrer’s JSPS Award Workshop III and ISSP international workshop - a role of physics for nano science and technology - (2002).




“Structural stability of the Ge/Si(113)-2×2 surface”

J. Nakamura, Z. Zhang, K. Sumitomo, H. Omi, T. Ogino, and A. Natori,

The 11th International Conference on Solid Film and Surfaces (ICFSF-11), Marseille, France (2002).



"Strain Engineering for Control of Self-Organized Quantum Nanostructures"


T. Ogino, Y. Homma, Y. Kobayashi, H. Hibino, K. Prabhakaran, K. Sumitomo, H. Omi, F. Lin, Z. Zhang,

The 10th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy, 2002.10.31-11.2, Waikiki, Hawaii, USA



“Spectroscopic and composition studies of Ge quantum dots and wires grown on silicon”

M. P. Halsall, M. Miura, Y. Shiraki, H. Omi, and T. Ogino,

The European Physical Society Conference, Brighton, UK (2002).



“Strain state of Ge nanowires grown epitaxially on Si(113)”


K. Sumitomo, Z. Zhang, H. Omi, and T. Ogino,

2nd International workshop of Ion Beam Technology (IWIBT), Korea (2002).




“Controlled formation of Ge nanostructures on Si substrate studied by scanning tunneling microscopy”

K. Sumitomo, F. Lin, Z. Zhang, H. Omi, Y. Homma, and T. Ogino,

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“Strain engineering for control of self-organized quantum nanostructures”

T. Ogino, H. Omi, D. J. Bottomely, K. Sumitomo, and Z. Zhang,

International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), Japan, Sep. 26 - 28, (2001).




“Fabrication of a strain-distribution-controlled Si(001) surface with maximum stress localization; Analysis of the surface before and after Ge epitaxy”

D. J. Bottomley, H. Omi, and T. Ogino,

The thirteenth International Conference on Crystal Growth (ICCG-13), Kyoto, Japan, July 30 - Aug. 4 (2001).




“Strain distribution control on Si(001) for Ge nanostructure self-assembly”

H. Omi, D. J. Bottomley, and T. Ogino,

“The sixth international symposium on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures” (ACSIN-6), Tahoe, USA, July 9 - 12 (2001).




“Fabrication of a strain-distribution-controlled Si(001) surface with maximum stress localization; Analysis of the surface before and after Ge epitaxy”

D. J. Bottomley, H. Omi, and T. Ogino,

European Material Science Society (E-MRS), Strasbourg, France, Jun. 5 - 8 (2001).



 “Ge nanowire formation and related island shape transition on Si(113)”

K. Sumitomo, Z. Zhang, H. Omi, D. J. Bottomley, and T. Ogino,

The thirteenth International conference on crystal growth (ICCG-13), Kyoto, Japan, July 30 - Aug. 4 (2001).




“Strain state of Ge nanowires grown epitaxially on Si(113)”

K. Sumitomo, H. Omi, D. J. Bottomley, and T. Ogino,

“The sixth international symposium on Atomically controlled surfaces, interfaces and nanostructures” (ACSIN-6), Tahoe, USA, July 9 - 12 (2001).




“Atomic structure of Ge/Si(113)-2×2 reconstruction”

K. Sumitomo, Z. Zhang, H. Omi, A. Natori, and T. Ogino,

The 9th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy, Atagawa, Japan (2001).




“Ge/Si(113) nanwire formation: self-organized rebuilding of the epilayer during epitaxy”

Z. Zhang, K. Sumitomo, H. Omi, D. J. Bottomley, and T. Ogino,

Joint workshop of 29th IUVSTA international workshop on selective and functional film deposition technologies as applied to ULSI technology and 2nd international workshop on development of thin films for future ULSI’s and nanoscale process integration, Nov. 19-24, Ise-Shima Royal Hotel, Mie, Japan (2000).



“Shape origin of self-assembled Ge nanowires grown on Si(113)”

D. Bottomely, H. Omi, and T. Ogino,

Bulletin of The American Physical Society (APS), Mineapolis (2000).




“Growth induced atomic step ordering on vicinal surfaces of patterned and nonpatterned Si(111)”

H. Omi and T. Ogino,

The European Materials Conference (E-MRS), Strasbourg, France (2000).




“STM observation of Ge island faceting on Si(113)”

Z. Zhang, K. Sumitomo, H. Omi, D. J. Bottomley, and T. Ogino,

The 8th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy, Atagawa, Japan (2000).




“Positioning of self-assembling Ge islands on Si(111) mesa by using atomic steps”

H. Omi and T. Ogino,

International Joint Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (IJC-Si), Zao, Japan (1999).




“Control of atomic step arrangement on a patterned Si(111) surface by growing strained SiGe epitaxial layers”

H. Omi and T. Ogino,

International Symposium on Surface Science for Micro- and Nano-Device Fabrication (ISSS-3), Waseda, Japan (1999).




 “Control of atomic step arrangements on a patterned Si(111) surface through molecular beam epitaxy”

H. Omi and T. Ogino,

45th International Symposium, American Vacuum Society (AVS), Baltimore, USA, Nov. 2 - 6 (1998).




“Atomic-step-networks for nanopatterning of Si surfaces”

T. Ogino, Y. Homma, H. Hibino, Y. Kunii, and H. Omi,

Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC), (1998).




“Self-organization of nanoscale Ge islands in Si/Ge/Si(113) mulilayers”

H. Omi and T. Ogino,

The fourth international symposium on Atomically controlled surfaces and interfaces (ACSI-4), Waseda, Japan, Oct. 27 - 30 (1997).






国内会議、研究会および報告会


招待講演(予定も含む*)


”Ge/Si量子細線の自己組織化” 

尾身博雄

表面科学会 シンポジウム3 自己組織化量子ナノ構造の最先端 



”極薄SOI基板の酸化プロセスのその場観察” 

尾身博雄

SPring-8産業利用報告会 2007.9.7−9.8



”シリコン熱酸化のX線全反射によるその場観察”

尾身博雄

”埋もれた界面のX線・中性子解析に関するワークショップ2007 7月22−24日(仙台)”



シリコン/酸化膜界面ラフネスとその形成機構”

尾身博雄

ゲートスタック研究会 −材料・プロセス・評価の物理 第12回 2007. 2月2-3日 静岡三島


表面・界面制御によるナノ構造の自己形成

尾身博雄

物材機構 量子ドットセンターセミナー 2006年1月15日



斜入射X線回折を用いた次世代半導体基板の熱歪み解析/ Thermally Induced Strains of Semiconductor-on-insulators for New Generation Silicon Devices
川村朋晃、尾身博雄(NTT)、藤川誠司(兵庫県立大)、松井純爾(CAST)
第17回 日本MRS学術シンポジウム
 日大理工駿河台キャンパス 2006年 12月8−10日



「極薄SOI基板の酸化プロセスのその場観察」
尾身博雄、川村朋晃、
応用物理学会 シンポジウム 立命館大学、9月29日 2006年



表面・界面歪の制御によるナノ構造の自己組織化 (表面科学会誌賞受賞講演)
荻野 俊郎, 本間 芳和, 住友 弘二, 尾身 博雄, David Bottomley, Zhaohui Zhang
表面科学 2005年 11月18日  2A25
表面科学講演大会講演要旨集 Vol 25 (2005) pp. 66




X線回折/散乱による高温ガス雰囲気中リアルタイム表面・界面観察装置の開発]
尾身博雄
SPring-8産業利用報告会、(兵庫県ビームライン成果報告会)
日時:2004年、9月7−8日



  MEISとSTMによる表面応力・歪の異方性の観察
住友弘二、Zhaohui Zhang、中村淳、尾身博雄、荻野俊郎(NTT物性基礎研)、
  名取晃子(電通大)
第4回「イオンビームによる表面・界面解析」特別研究会
日時: 平成15年12月19日(金) 〜 12月20日(土)



“表面構造制御によるナノ構造形成”尾身博雄本間芳和、

応用物理学会次世代リソグラフィ研究会、NGL2003ワークショップ、7月 (2003)
応用物理学会分科会 シリコンテクノロジー No.53(1) 「NGLワークショップ2003」特集号(1) p63, 10-11th July, 2003.



“表面構造制御によるナノ構造形成” 尾身博雄本間芳和、

高分子学会討論会、特定テーマN:自己組織化と超分子、研究テーマN-2:ナノ組織体 IN20 9月24日(2003).




”表面歪制御によるナノ構造形成” 尾身博雄、

電気通信大学 名取研究室 OPEN SEMINAR (依頼講演)、5月21日 (2003).



“高温酸化時のシリコン/酸化膜界面反応機構”

尾身博雄D. Bottomely, 小林慶裕、植松真司、影島博之、荻野俊郎

極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性 第8回研究会、熱川、(2003).




“表面歪制御によるナノ構造形成”尾身博雄

Symposium on Functionally Intelligent Materials of Interface Regions, Academic Frontier Promotion Center Osaka Electro-Communication University, (2003).




Si(113)基板上のGe ナノワイヤー形成メカニズムと歪緩和:MEISSTMによる観察」

住友弘二、Zhaohui Zhang、尾身博雄、荻野俊郎、

「イオンビームによる表面・界面解析」研究会, 岡山理科大学 (2001).




 (一般講演)



「SiO2/Si/SiO2構造の歪みと熱的安定性」

○尾身博雄、川村朋晃、小林慶裕、津坂佳幸、篭島靖、松井純爾
                                                  応用物理学会秋 2006


「X線回折による薄膜SGOIの歪み・組成解析の検討」

○川村朋晃、尾身博雄、木村滋
                                                  応用物理学会秋 2006


「微小角入射X線小角散乱によるSi(113)面上Geナノワイヤー構造の評価」

○表和彦、川村朋晃、尾身博雄
                                                  応用物理学会秋 2006


「微小角入射X線小角散乱によるSi(113)面上Geナノワイヤー構造の評価」

○表和彦
川村朋晃 尾身博雄広沢一郎、北野彰子
                                                  応用物理学会春 2006


「異常分散X線回折によるSGOI組成の直接決定」

○川村朋晃、尾身博雄、木村滋、竹田晋吾、水牧仁一郎

                                                  応用物理学会春 2006


「立体構造観察に向けたエッジ検出機能の開発」

○遠藤晋旦、尾身博雄、村下達、小林慶裕

                                                  応用物理学会春 2006

「シリコン酸化膜中に埋め込まれた極薄Si層の斜入射X線回折」

○尾身博雄、川村朋晃、小林慶裕、藤川誠司、津坂佳幸、篭島靖、松井純爾

                                                             
応用物理学会秋 2005

「X線散漫散乱測定による多層Geナノワイヤーの歪解析」

○川村朋晃、尾身博雄、木村滋、竹田晋吾、水牧仁一郎

                                                             
応用物理学会秋 2005

InP系ナノワイヤー構造形成過程のリアルタイム観察

川村朋晃、藤川誠司、S. Bhunia, 渡辺義夫、尾身博雄

                                         応用物理学会春シンポジウム 2005


全反射X線Bragg回折を利用した薄膜SOIの評価

○尾身博雄、川村朋晃、藤川誠司、津坂佳幸、篭島靖、松井純爾


                                                           
応用物理学会春 2005


 

異常分散効果を用いたGeナノワイヤー構造の構造解析

○川村朋晃、尾身博雄、木村滋、竹田晋吾、水牧仁一郎

                                                                                                            応用物理学会春2005


「X線異常散乱効果を利用した多層Geナノワイヤー構造の歪解析」

川村朋晃、尾身博雄、木村滋、竹田晋吾、水牧仁一朗

                                                      放射光学会 2004

「X線散乱測定による埋め込み型単層Geナノワイヤーの歪解析」

川村朋晃、尾身博雄、坂田修身、Chris Waker、藤川誠司、住友弘ニ、

                                                      放射光学会 2004

「X線回折/散乱による高温ガス雰囲気中リアルタイム表面・界面観察装置の開発]

尾身博雄、川村朋晃、藤川誠司、津坂佳幸、篭島靖、松井純爾


                                                      放射光学会 2004

「X線回折/散乱による高温ガス雰囲気中リアルタイム表面・界面観察装置の開発]

尾身博雄、川村朋晃、藤川誠司、津坂佳幸、篭島靖、松井純爾

応用物理学会 2004秋


「X線散乱測定によるSi(113)上Geナノワイヤーの歪評価」

川村朋晃、尾身博雄、藤川誠司、C. Walker, 坂田修身、松井純爾、

応用物理学会 2004春


「微傾斜Si(111)上でステップフロー成長によるステップバンチングの自己組織化」
尾身博雄、本間芳和


物理学会 2004年春


「微傾斜Si(111)上でステップフロー成長中に起こるステップバンチング」

尾身博雄、本間芳和、V. Tonchev, A. Pimpinelli

物理学会 2003年秋



「微傾斜Si(111)でのステップフロー成長中のステップバンチング」

尾身博雄、本間芳和、V. Tonchev, A. Pimpinelli

応用物理学会 2003年春


Si(113)Ge成長初期過程における表面超構造と表面応力」

住友弘二、Z. Zhang, F. Lin, 中村淳、尾身博雄、名取晃子、荻野俊郎

応用物理学会 2003年春



Ge/Si(113)-2×2表面の応力異方性」

中村淳、尾身博雄、住友弘二、Z. Zhang, 荻野俊郎、名取晃子

日本物理学会 2003年春



Si(001)-SiO2界面でのステップ―テラス構造の形成機構(2)」

尾身博雄、植松真司、影島博之、荻野俊郎、

応用物理学会 2002年春


Si(001)- SiO2界面での高温酸化のスケール則」

尾身博雄、植松真司、影島博之、荻野俊郎、

応用物理学会 2002年春


Si(113)上に成長したGe島の光学特性」

尾身博雄M.P. Halsall、荻野俊郎

応用物理学会 2002年秋


Si(001)上に高温で成長したシリコン酸化膜の放射光による評価」

尾身博雄、川村朋晃、藤川誠司、荻野俊郎

応用物理学会 2002年秋


 “Si(113)基板上のGeナノワイヤー形成メカニズムと歪緩和:MEISSTMによる観察

住友弘二、Z. Zhang, 尾身博雄、荻野俊郎

応用物理学会 薄膜・表面物理分科会 特別研究会「イオンビームによる表面・界面解析」岡山、2001


「最大局所応力をもつ歪分布を制御したSi基板の作製」

D.Bottomley、尾身博雄、荻野俊郎

応用物理学会 2001年春


「表面歪分布制御Si(001)基板を用いたGe島成長の自己組織化」

尾身博雄D.Bottomley、荻野俊郎

応用物理学会 2001年春


「中速イオン散乱法によるSi(113)Geナノワイヤーの歪の観察」

Z. Zhang, 住友弘二、尾身博雄、D. Bottomley、荻野俊郎

応用物理学会 2001年春


Si(113)GeナノワイヤーのSTM観察(3):アニールによる形状変化」

住友弘二、Z. Zhang, 尾身博雄、D. Bottomley、荻野俊郎

応用物理学会 2001年春


Si(113)GeナノワイヤーのSTM観察(3):歪緩和」

住友弘二、Z. Zhang, 尾身博雄、D. Bottomley、荻野俊郎

応用物理学会 2001年春


「局在化した歪場でのSi(111)表面の原子ステップの形」

尾身博雄S. Stoyanov, 本間芳和、V. Tonchev、荻野俊郎

応用物理学会 2001年秋


「局在化した歪場でのSi(111)表面の原子ステップの形」

尾身博雄S. Stoyanov, 本間芳和、V. Tonchev、荻野俊郎

応用物理学会 2001年秋


Si(001)-SiO2界面でのステップ―テラス構造自己形成の起源」

D. Bottomely, 尾身博雄、荻野俊郎、植松真司、影島博之

応用物理学会 2001年秋

Ge/Si(113)-2×2表面の構造安定性」

中村淳、Z. Zhang, 住友弘二, 尾身博雄、荻野俊郎、名取晃子


日本物理学会 2001年秋

「ステップフロー成長による微傾斜Si(111)表面の原子ステップパターン形成」

尾身博雄、荻野俊郎

応用物理学会 2000年春


Si(113)基板上におけるSiGeの島成長」

尾身博雄、荻野俊郎

応用物理学会 2000年春


Si(113)基板上におけるSiの島成長機構」

D. Bottomley, 尾身博雄、荻野俊郎

応用物理学会 2000年春


「表面歪分布を制御したSi基板の作製」

尾身博雄D. Bottomley、荻野俊郎

応用物理学会 2000年秋


「表面歪分布を制御したSi基板の表面観察(1)」

D. Bottomley、尾身博雄、荻野俊郎

応用物理学会 2000年秋


「表面歪分布を制御したSi基板の表面観察(2)-ホモエピタキシャル成長面-

尾身博雄D. Bottomley、荻野俊郎

応用物理学会 2000年秋

Si(113)GeナノワイヤーのSTM観察(1):形成メカニズム」

Z. Zhang, 住友弘二、尾身博雄、D. Bottomley、荻野俊郎

応用物理学会 2000年秋


Si(113)GeナノワイヤーのSTM観察(2):サイドファセットの再配列構造」

Z. Zhang, 住友弘二、尾身博雄、D. Bottomley、荻野俊郎

応用物理学会 2000年秋


「歪分布を制御したSi表面の解析―理論と実験」

D. Bottomley、尾身博雄、荻野俊郎

日本物理学会 2000年秋


「中速イオン散乱法によるSi(113)Geナノワイヤーの歪の観察」

Z. Zhang, 住友弘二、尾身博雄、 D. Bottomley、荻野俊郎

応用物理学会 2000年秋


「シリコンナノ構造の自己組織的形成」

荻野俊郎、本間芳和、尾身博雄、住友弘二、D.Bottomley

応用物理学会 2000年秋


MBE成長によるSi(111)パターン表面の原子ステップ配列制御(3

-SiGe混晶形成の効果-

尾身博雄、荻野俊郎

応用物理学会 1999年春


「原子ステップ制御によるSi(111)パターン表面上でのGe島の配列化」

尾身博雄、荻野俊郎

応用物理学会 1999年春


「ステップフロー成長によるSi(111)表面の原子ステップ列の形成とその制御」

尾身博雄、荻野俊郎

応用物理学会 1999年秋


シンポジウム「半導体ナノ界面」
荻野俊郎、日比野浩樹、
P. Kuniyil, 尾身博雄

応用物理学会 1999年秋


MBE成長によるSi(111)パターン表面の原子ステップ配列制御」

尾身博雄、荻野俊郎

応用物理学会 1998年春


「経験的ポテンシャルによるGe/Si系ナノ構造のシミュレーション」

国井泰夫、星野傑、尾身博雄、荻野俊郎

応用物理学会 1998年春


MBE成長によるSi(111)パターン表面の原子ステップ配列制御(2)

パターン方位依存性」

尾身博雄、荻野俊郎

応用物理学会 1997年秋


Ge/Si(113)系超格子におけるGeナノ細線の自己組織化」

尾身博雄、荻野俊郎

応用物理学会 1997年春


Ge/Si(113)積層構造におけるGeナノ細線の自己組織化」

尾身博雄、荻野俊郎

電気学会研究会 1997


Ge/Si(331)基板上におけるコヒーレントなGe島の成長」

尾身博雄、荻野俊郎

応用物理学会 1997年秋


Si(113)基板上に自己集合化したSiGe(0.8<x<1)量子細線」

尾身博雄、日比野浩樹、荻野俊郎

応用物理学会 1996年秋


極性-無極性系半導体超格子の作製

尾身博雄、大坂敏明

表面技術協 1995年春


基板極性表面に依存した薄膜成長過程

大竹晃浩、尾身博雄、大坂敏明

応用物理学会 1994年秋


基板極性表面に依存した薄膜成長過程

大竹晃浩、尾身博雄、大坂敏明

表面技術協会 1994年秋


半導体超格子の界面制御

大坂敏明、尾身博雄、斉藤英彰

表面技術協会 1993年秋


α-Sn薄膜の表面相転移

尾身博雄、大坂敏明

表面技術協会 1992年春


“Si(111)表面上におけるSnのエピタキシャル成長

尾身博雄、河野俊也、大坂敏明

応用物理学会 1992年秋


薄膜の成長過程に及ぼす基板表面超構造の影響

尾身博雄、大坂敏明

表面科学会 1992年秋


α-Sn/InSb(111)B系におけるSbの析出

大竹晃浩、尾身博雄、斉藤英彰、大坂敏明

表面技術協会 1992年秋


“InSb/α-Sn/InSb{111}系における極性伝播の機構

斉藤英彰、尾身博雄、大竹晃浩、大坂敏明

日本物理学会 1991年秋


“InSb{111}上に成長したα-Snの表面相転移

尾身博雄、大坂敏明

日本物理学会 1991年秋


シンポジウム “InSb/α-Sn/InSb{111}A,B系における極性伝播

大坂敏明、尾身博雄、斉藤英彰

日本物理学会 1991年秋


“In/α-Sn系における不整合相

岡本茂、斉藤英彰、尾身博雄、小林功扶、大坂敏明

応用物理学会 1991年秋


α-Sn薄膜の表面無秩序相

尾身博雄、志賀貞一、斉藤英彰、大竹晃浩、北村和夫、大坂敏明

表面科学会 1990年秋


“InSb{111}上に成長したα-Sn薄膜の昇温による相変態とその膜厚依存性

尾身博雄、志賀貞一、岩井正明、斉藤英彰、大竹晃浩、粕壁善隆、大坂敏明

応用物理学会 1988年春


“InSb{111}上に成長したα-Sn薄膜の昇温による相変態とその膜厚依存性

尾身博雄、志賀貞一、岩井正明、斉藤英彰、大竹晃浩、粕壁善隆、大坂敏明

応用物理学会 1988年春


“InSb上に成長したα-Snの安定性について

尾身博雄、志賀貞一、斉藤英彰、大竹晃浩、大坂敏明

表面科学会 1988年秋


“InSb(111)B上に成長したα-Snの安定性に及ぼす基板温度の効果“

粕壁善隆、岩井正明、尾身博雄、石橋幸久、大坂敏明

応用物理学会 1987年春


“InSb(111)B上のα-Snの熱的安定性とα-Sn(111)上におけるInSbの成長

岩井正明、粕壁善隆、尾身博雄、石橋幸久、大坂敏明
  応用物理学会 1987年秋


特許

【特許(登録)】

番号

発明の名称,登録日,登録特許番号,発明者

1

発光素子およびその製造方法, 2014.8.22, 特許第5600086,  尾身博雄, 俵毅彦, 牧本俊樹.

2

X線集光レンズ, 2013.12.13, 特許第5431900, 尾身博雄.

3

X線集光レンズ, 2013.8.16, 特許第5341416, 尾身博雄, 川村朋晃, 小林慶裕.

4

X線集光レンズ, 2011.3.11, 特許第4700034, 尾身博雄, 川村朋晃, 小林慶裕.

5

X線導波路レンズ, 2011.1.7, 特許第4659015, 尾身博雄, 川村朋晃, 小林慶裕.

6

X線導波路レンズ, 2011.3.8, 特許第4705606, 尾身博雄, 川村朋晃, 小林慶裕.

7

X線集光レンズ, 2010.10.8 特許第4602944, 川村朋晃, 尾身博雄.

8

酸化炉装置, 2010.5.14, 特許第4510661, 尾身博雄,  川村朋晃.

【特許(出願)】

番号

発明の名称,出願日,出願番号,発明者

1

光素子およびその製造方法,2015.2.17, 特願2015-028251, 俵毅彦, 尾身博雄, 足立智.

2

光素子およびその製造方法,2013.8.5, 特願2013-162076尾身博雄, 俵毅彦, 足立智.

3

量子ビットの操作方法, 2013. 7. 16, 特願2013-147283,足立智, 俵毅彦, 尾身博雄.

4

光素子および製造方法, 2012.8.15, 特願2012-180037, 尾身博雄, 俵毅彦, 牧本俊樹.

5

光素子および製造方法, 2012.8.15, 特願2012-180038, 尾身博雄, 俵毅彦, 牧本俊樹.

6

シリコン発光素子およびその製造方法, 2012.2.10,  特願2012-026964,  尾身博雄, 小野行徳, 俵毅彦

7

プローブ型光測定装置, 2010.10.22, 特願2010-237663, 尾身博雄.