グラフェンにおけるプラズモン伝導

プラズモンを利用することにより、光信号をナノメーター領域に閉じ込めて制御することが可能となると考えられている。 しかし、広くプラズモンの研究に使われている金属表面プラズモンは、その特性が制御できない、緩和が早いという問題が指摘されている。 本研究では、グラフェンにおけるプラズモンの伝搬特性を測定し、伝搬速度は電子密度、磁場、ゲートによる遮蔽効果を変化させることにより、 10^4〜10^6 m/sの範囲で2桁に渡って制御可能であることを明らかにした。
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(左図)SiC上に成長されたグラフェンのAFM phase image。(中図)ゲートがない試料、(右図)ある試料におけるプラズモン伝搬速度。