.This is my presentaion slides for SCANTECH2004 (in Japanease).
透視SEMによる 半導体ナノ構造の観察
永瀬 雅夫
SCANTECH2004, 2004.9.3 (日本女子大学100年館)
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Abstract
比較的高い加速電圧（数10kV）のSEMで、酸化膜に被われたＳｉ構造を観察すると、内部のSI構造があたかも"透視"をしたように観察される。内部構造を反映した酸化膜表面の帯電状態の違いが像となっており、反射電子像に比べるとコントラストが高いことが特徴である。プローブとして用いているビームの加速電圧が比較的高く材料内部での実効ビーム径が小さいため高い分解能が得られ、通常法では観察が困難な埋込ナノ構造の観察に適している。本講演では、透視ＳＥＭの原理からその応用としてSi単電子デバイス構造の解析結果までを述べる。
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Contents
ー研究の背景ー
[研究の背景]
[単電子デバイス用埋込Siナノ構造]
ー内部構造観察手法ー
[電子線による内部構造観察手法]
[反射電子による埋込構造の可視化例]
ー透視SEMによるSiデバイス観察ー
[Siナノデバイス内部構造の SEM観察]
[透視SEMによるSiデバイス構造観察]
[埋込Siナノ構造（酸化前）]
[埋込Siナノ構造（酸化後）]
[埋込Siナノ構造の観察]
[埋込酸化膜構造のSEM観察]
ー透視SEMの原理ー
[透視SEM像の加速電圧依存性]
[二次電子プロファイルの加速電圧依存性]
[透視SEM原理]
ー埋込Siナノ構造の評価ー
[透視SEM像と埋込Si構造]
[透視SEM像と平面TEM像との比較]
[埋込Siナノ構造の二次電子プロファイル]
[埋込Si構造の像幅と酸化構造幅との相関]
[Si単電子デバイスの三次元構造]
ー応用事例ー
[特殊な二次電子像の応用事例]
[酸化膜上CNTの低加速SEMによる可視化]
[Mechanism of bright selective imaging of single-walled carbon nanotubes on insulators by scanning electron microscopy]
[Si-Bicrystal中の埋込欠陥構造の可視化]
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upload :2004/9/10
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