講演予定：日本大学　第２回理工学研究所講演会（2010.3.1）

講演予定：ASTEC2010 第５回表面技術会議（2010.2.18）

日刊工業新聞：記事”グラフェントランジスタ　次世代素子実用化競う”にコメントが掲載（2009.12.7）

日本経済新聞に取材記事「高機能の新炭素材料「グラフェン」」が掲載(2009.9.7)

WOWOW「探求者たち「青木義男教授の挑戦」」に出演 (2009.9.6)

有機バイオSPM研究会で講演： "エピタキシャル・グラフェンの走査プローブ顕微鏡による物性評価"

「グラフェンの機能と応用展望」が発刊
(一部（第１１章　SiC上のグラフェン成長と電気特性）の執筆を分担)　-->link

AWAD2009で講演： "Metrology of microscopic properties of graphene on SiC"

日刊工業新聞：記事”CNTからグラフェンへ”にコメントが掲載（2009.5.26）

JSEA第３回ワークショップで講演：
”グラフェンの現状と宇宙エレベータテザーとしての可能性について”

有機デバイス研究会第７７回研究会「グラフェンの最新技術動向と展望」で講演：
”SiC上グラフェンの物性評価”

「未来材料」３月号に寄稿記事トピックス”グラフェンのエレクトロニクスへの展開”が掲載

日本セラミックス協会誌「セラミックス」３月号に寄稿記事トピックス”グラフェンのミクロスコピックな物性の解明”が掲載

2009 RCIQE国際セミナーで講演： "Novel microscopies for graphene on SiC"

学振「ナノプローブテクノロジー第167委員」・第５３回研究会で講演：
"SiC上のグラフェン"ー走査プローブ顕微鏡による評価技術ー

九州大学　大学院工学研究院　エネルギー量子工学部門　田中研究室と共同研究契約を締結

日本化学会会誌「化学と工業」１２月号に取材記事”新炭素系材料「グラフェン」”が掲載

日刊工業新聞に取材記事”炭素材料｢グラフェン｣に脚光”が掲載（2008.12.1）

応物シンポジウムで講演："SiC上グラフェン成長と電気特性" ダイジェスト-->PDF
(薄膜・表面物理分科会企画シンポジウム「グラフェンは "面白い"、"役に立つ"　ー基礎物理から応用までー」)

"Local conductance measurement of few-layer graphene on SiC substrate using an integrated nanogap probe"

"Local conductance imaging of nanomaterials on insulator using an integrated nanogap probe"

"Nano-Gap Electrodes on Si Cantilever for Local Conductance Measurement"

"Tip Shape Characterization with a Si Nanostructure Fabricated Using Anisotropic Etching"

"イミダス２００６"（集英社）に資料提供　イミダスへ-->link
(p. 861. ナノテクノロジー："カーボンでできたナノのばね"）ナノのばねの動画(.mov) orナノのばねの動画(.mp4)

サイエンスプラザ２００５Fにてポスター"集積化３次元ナノプローブシステム"発表(2005.10.28)

"ナノスプリング付きカーボンプローブのＳｉカンチレバー上への集積化"
(NTT物性科学基礎研究所・活動報告2004より)

"Carbon Multi-probes on a Si Cantilever for Pseudo-MOSFET"

"Imaging of Nano-scale Embedded Dislocation Networks in Si Bicrystal"

"Carbon multi-probes with nano-springs on a Si cantilever grown by ion beam-induced deposition"

"先端の分析法　ー理工学からナノ・バイオまでー"
(一部（応用編　第４章　半導体プロセス　第６節　半導体微少部分析）の執筆を分担)　-->link

"Conductive multi-probe with nano-spring on Si cantilever grown by focused ion beam chemical vapor deposition"

SCANTECH2004で講演(2004.9.3)

日経先端技術（No.64:2004.06.28)に”ナノ四探針プローブシステム”が掲載

"ナノテクノロジーのための走査電子顕微鏡"
(一部（４・１半導体ナノ構造の観察）の執筆を分担)

"Proposal for an assembly method for nanoelectromechanical devices on microcantilevers using focused ion beam technology"

"Nano-four-point Probes on Micro-cantilever System Fabricated by Focused Ion Beam"

"Evaluation of Lattice Distortion with Nanometer Resolution in Si Single-electron Transistor"

"Single-electron Devices Formed by Pattern-dependent Oxidation"

"Imaging of Si nano-patterns embedded in silicon oxide using scanning electron microscopy "

"Nanometrology using scanning probe microscopy and its application to resist pattern"

"Si nanostructures formed by pattern-dependent oxidation"

"走査プローブ顕微鏡によるナノ構造計測"
(NTT基礎研究所の活動報告1996よりの抜粋)