NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, Japan

My Profile

Senior Research Scientist,
Quantum Solid State Physics Research Group,
Physical Science Laboratory,
NTT Basic Research Laboratories.

She received the B.Sc., M.Sc., and Ph.D. degrees in physics from the University of Tokyo. Since joining NTT Basic Research Laboratories, she has been engaged in research on the bilayer quantum Hall state in GaAs, the quantum Hall effect in graphene and nanowire quantum transport. She is a member of the Physical Society of Japan and the Surface Science Society of Japan.

Enter the password to watch the video explaing a gate control of the spin-orbit interaction in a nanowire FET.

News & Recent Publication

第3回(2022年)日本物理学会 米沢富美子記念賞を受賞いたしました。
(2022. 3. 10)
第3回(2022年)日本物理学会 米沢富美子記念賞 English Page

Keiko Takase, Kouta Tateno, and Satoshi Sasaki
"Electrical tuning of the spin-orbit interaction in nanowire by transparent ZnO gate grown by atomic layer deposition",
Appp. Phys. Lett. 119, 013102 (2021). (Selected as Editor's Pick) (2021. 7) arXiv 2106.10036

(Japanese only)
日本表面真空学会誌に研究紹介記事を執筆しました。(2021. 3)
(高瀬恵子、舘野功太、佐々木智, 表面と真空 2021 年 64 巻 3 号 p. 118-125)

(Japanese only)
日本女性科学者の会学術誌に総説を執筆しました。(2021. 3)
(高瀬恵子 日本女性科学者の会学術誌 2021 年 21 巻 p. 30-40)

(Invited presenation, in Japanese )
 NTT物性科学基礎研究所 高瀬恵子
(日本女性科学者の会 学術大会、現地(東工大)およびオンラインのハイブリッド開催、

(Japanese only)
令和2年度科学技術分野の文部科学大臣表彰 若手科学者賞を受賞いたしました。
ありがとうございました。ますます研究に励みます。 (2020. 4. 7)

(Japanese only)
研究代表者として、科研費 基盤B(3年間)に採択されました。
ありがとうございました。研究を展開していきたいと思います。 (2020. 4)

(Japanese only)
「2019年度 第2回 兵庫・関西 キャタピラーSTEM賞 一般部門 優秀賞」を
 ↓ プレスリリースはこちらから(2019. 12. 18 公開)
  ニューズウィーク日本版   exciteニュース   PRTimes
 「2019年度 第2回 兵庫・関西 キャタピラーSTEM賞」とは?

Keiko Takase, Kouta Tateno, and Satoshi Sasaki
"Efficient gate control of spin-orbit interaction in InSb nanowire FET
with a nearby back gate",
published in Applied Physics Express (2019)

(Japanese only)
[電子情報通信学会誌 2019年9月号 pp.907-908 ]。 目次  閲覧可能な方は直接どうぞ。

(Japanese only)
[電子スピン向き効率制御 NTT、次世代コンピューター向け 消費電力1割以下 

Keiko Takase, Guoqiang Zhang, Kouta Tateno, and Satoshi Sasaki
"Highly Efficient Gate Controllability of Rashba Spin-orbit Interaction in a Gate-all-around InAs Nanowire MOSFET",
published in NTT technical review (2019. 2)

(Japanese only)
(高瀬 恵子, 佐々木 智, 応用物理 第87巻 第9号 (2018))

K. Takase, Y. Ashikawa, G. Zhang, K. Tateno, and S. Sasaki,
"Highly gate-tuneable Rashba spin-orbit interaction in a gate-all-around
InAs nanowire metal-oxide-semiconductor field-effect transistor",
published in Scientific Reports (2017)

Contact information

  • email address:
  • keiko.takase.wa"_at_"
  • (Please change "_at_" to @.
    The email address was formally changed
    from [takase.keiko"_at_"]
    to [keiko.takase.wa"_at_"]
    in Jun 2019.)