ダイヤモンドＦＥＴの断面構造	ダイヤモンドＦＥＴ （ゲート幅１ｍｍ）	ダイヤモンドＦＥＴ （３ミリ角）

ダイヤモンドＦＥＴのＧＨｚ大電力動作

半導体の中で最も優れた高周波電力特性が期待されているダイヤモンドでFET（電界効果トランジスター）を作製し、１GHzで世界最高の2.1 W/mmの高周波出力電力密度を得た（18ページ）。

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