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| SiC上に成長した エピタキシャルグラフェン |
エピタキシャルグラフェンの 低エネルギー電子顕微鏡像 |
電子の反射率の層数と 電子線エネルギー依存性 |
SiC上に成長したグラフェンの層数評価
グラフェンが、次世代エレクトロニクス材料として注目を集めている。SiC基板を加熱して成長したエピタキシャルグラフェンは、容易にスケールアップでき、デバイス集積に適している。そこで我々は、所望の層数のグラフェンを大面積に成長する手法の実現に不可欠な、エピタキシャルグラフェンの層数を成長後その場でミクロに評価する技術を確立した。グラフェン層数は、低エネルギー電子顕微鏡を用いて測定した電子の反射率に現れる量子的な振動から決定する（19ページ）。