アーチ型InAs/AlGaSb
ビームの電子顕微鏡写真
原子間力顕微鏡で測定した
ビーム形状と計算結果
ビームの電気抵抗とたわみとの関係の測定結果

 

InAs/AlGaSbヘテロ構造ナノビームのピエゾ抵抗への圧電効果の影響

 

超高感度センサなどとして期待されている、化合物半導体を用いたナノ電気機械システムにおいて、その重要な特性であるピエゾ抵抗(メカニカルな歪みによる電気抵抗変化)を測定・解析した。得られたInAs/AlGaSbヘテロ構造ナノ・ビーム(梁)のピエゾ抵抗は、ビームの形状(アーチ型か平坦か)に大きく依存し、これは圧電効果を考慮したピエゾ抵抗の計算結果により説明可能であることが分かった。これにより、薄膜へテロ構造のメカニカル特性における圧電効果の重要性が明らかになった(26ページ)。


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