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| A面AlN LED構造 | 発光スペクトル | 放射特性 |
AlN遠紫外発光ダイオードの高効率化
半導体で最も短い波長210 nmで遠紫外発光する窒化アルミニウム(AlN)は、特異な価電子帯構造（負の結晶場分裂エネルギー）を持つため、従来の半導体材料にはない特定の結晶面（A面）から強く発光する特性を有する。これまでのAlN遠紫外発光ダイオード(LED)は、他の窒化物半導体と同様に良質な結晶を成長しやすいC面LED構造であったが、今回、AlN特有の発光特性を活かしたA面LED構造を作製し、LED表面からの強い遠紫外発光を得た。（16ページ）