室温での易動度が大きいInAsのナノワイヤをチャネルとする電界効果トランジスタ(FET)を作製した。ゲート電極がチャネルを取り囲んだGate-All-Around構造であり、電流制御性が優れている。さらにゲートがソース・ドレイン電極にオーバラップしているため寄生抵抗が小さく、ナノワイヤFETとしてはトップクラスのON特性が得られている。(36ページ)
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