(a)フォトニック結晶線欠陥トレンチへのナノワイヤ導入による共振器形成の模式図。発光スペクトルはナノワイヤ導入により形成された共振器の共振ピークを示す。
(b)トレンチ内に配置されたナノワイヤのSEM像。

半導体ナノワイヤとSiフォトニック結晶によるナノ共振器形成

 線欠陥中にトレンチ構造をもつフォトニック結晶上で、微細な探針(ナノプローブ)を使って、トレンチ内にナノワイヤを配置することで、共振器を新規形成することに成功した(最高Q値9500)。さらに、トレンチ内でのナノワイヤ移動により共振器の位置を変更可能であることを実証した。また、パーセル効果により、III-V族ナノワイヤとしては最も短い光子寿命(91 ps)が達成された。(45ページ