NTT物性科学基礎研究所

ニュースリリース

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2000年

  • 財団法人松尾学術振興財団 松尾学術賞 2000.10.18
  • 光量子物理学の基礎的な研究
  • 山本 喜久
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  • 電子情報通信学会 エレクトロニクスレター論文賞2000.10.2
  • 3次元フォトニック結晶へのIII V族化合物半導体活性層の埋め込み
  • 花泉 修,桜井 康樹,相澤 芳三,川上 彰二郎,倉持 栄一,奥 哲
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  • 応用物理学会 JJAP論文賞2000.09.4
  • Universal Theory of Si Oxidation Rate and Importance of Interfacial Si Emission
  • 影島 博之,白石 賢二,植松 真司
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  • 応用物理学会 講演奨励賞2000.09.4
  • 高ホール濃度MgドープInGaN/GaN超格子の実現
  • 熊倉 一英
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  • IEEE/LEOS Quantum Electronics Award2000.05.19
  • Invention and first demonstration of the technique for producing amplitude squeezed light semiconductor
  • 山本 喜久
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  • (財)日産科学振興財団 第7回日産科学賞2000.03.22
  • 超伝導体・半導体結合構造における量子効果の研究
  • 高柳 英明
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