ナノスケールデバイスにおける核スピンのコヒーレント制御 半導体ポイントコンタクトデバイスを用いて核スピンの量子コヒーレント制御を実現した。図は左から実験に用いた半導体チップ、中に作り込まれたナノデバイスの概略図、AsのNMR共鳴周波数付近で測定されたナノデバイスの抵抗変化のカラープロットを示している。Asに典型的な４つに分裂した核スピン状態間で、様々な量子遷移がきわめて正確に制御され、明瞭なコヒーレント振動が観測されている（36ページ）。 【前ページ】 【目次へもどる】 【次ページ】
ナノスケールデバイスにおける核スピンのコヒーレント制御
半導体ポイントコンタクトデバイスを用いて核スピンの量子コヒーレント制御を実現した。図は左から実験に用いた半導体チップ、中に作り込まれたナノデバイスの概略図、AsのNMR共鳴周波数付近で測定されたナノデバイスの抵抗変化のカラープロットを示している。Asに典型的な４つに分裂した核スピン状態間で、様々な量子遷移がきわめて正確に制御され、明瞭なコヒーレント振動が観測されている（36ページ）。
