シリコン系発光材料の開発を目的とし、高精度に制御されたシリコン系ナノ構造を作製し、個々のナノ構造の電子励起・光励起による発光特性を我々が独自に開発した走査プローブ顕微鏡（発光特性を走査トンネル電子・近接場励起顕微鏡）を用いて評価することにより、光の回折限界以下のナノスケールの領域において個々のシリコンナノ構造からの発光メカニズムの解明を目指します。

ダイヤモンドは、高周波大電力デバイスとして最も優れた特性が期待されています。 ＮＴＴでは、高周波大電力デバイス実現に向けて、ダイヤモンド薄膜のＣＶＤ成長、 ドーピング、物性評価の研究をしています。 このポジションは、半導体の結晶成長、評価の深い経験と固体物理の理解が必要です。

単電子デバイスは、電流標準や将来のデジタル回路の構成要素として期待されています。 本テーマでは、素電荷の極限操作を目指して、シリコン単電子トランジスタや単電子ポンプなどの単電子デバイスに関して、その動作機構の解明などの基礎評価を行います。電子輸送の測定経験のある方が望ましいです。

ナノデバイス構築に必要となる材料物性や作製プロセスの物理について、第一原理計算を中心とした計算物理学的な手法を使って理論的に研究します。具体的には、シリコンナノ構造の電子物性、シリコン熱酸化などのプロセス過程、カーボン系新規材料の物性、界面・表面物性の解明に取り組みます。

カーボンナノチューブやグラフェンなどのナノカーボン材料はその低次元性に由来するユニークな物性を持ち、 次世代のナノエレクトロニクス・フォトニクス材料として期待されていますが、構造制御の困難性が実用化への進展を阻んでいます。 本テーマでは、表面構造制御技術を基にして、ナノカーボン材料の形成過程を解析し、その問題を解決することを目指します。 ナノカーボン材料合成だけではなく、半導体結晶成長や表面科学・表面分析、輸送特性測定など幅広い分野の経験を必要としています。

脳神経細胞における情報伝達について調べることを目的に、６４チャンネルマルチアレイプレナー電極を基にした埋め込み等のインターフェイシング型の電極を用いて、in vivo もしくはin vitroでの神経系との接続を行い、長期間の計測・刺激可能な系を確立します。 これにより、脳神経系と電子機器との接続・制御の最適化を行います。

液中AFMを用いて、神経機能関連の受容体タンパク質のリアルタイム構造解析を行い、その構造変化と機能との相関について検討します。

NTT物性研では、超伝導量子ビットと共振器中の１個の光子とのエンタングルメント制御に成功しました。 真空ラビ振動の観測から、超伝導量子ビットとマイクロ波光子の結合は原子⇔光子の場合に比べて何桁も強い事が明らかになり、 従来、原子や電子と光子を用いて行なわれてきた量子力学の基礎に関わるような実験が、超伝導回路を用いて可能となってきました。 このプロジェクトでは、Qubus 量子計算を目指した超伝導量子回路での量子もつれと量子ゆらぎの制御、スクイズド状態の発生、あるいは、ナノメカニカル共振器系との結合等に挑戦します。このテーマを魅力的に感じ、意欲的に取り組める方を募集します。希釈冷凍機を使った実験経験があると、より望ましいです。

超伝導と強磁性を共存・競合させた系に出現する新しい量子現象を探求します。 具体的には、円偏光照射下での超伝導体／半導体接合や超伝導体／強磁性金属（半導体）接合の超伝導特性を電気的・光学的手法により、制御・検出することを目指します。超伝導体／強磁性体結合系並びに低温での光学測定技術に精通している人を募集します。

光周波数コム技術は光周波数のものさしとして光周波数計量分野に飛躍的な進歩をもたらしています。本テーマでは、通信波長帯の広モード間隔光周波数コム光源を開発し、正確に波長が確定したコムの各モード１本１本を分離制御することで、次世代のフォトニックネットワーク光源利用や光の任意波形パルス形成、物質の新たなコヒーレント制御を目指した研究を行います。

電子は「電荷」とともに「スピン」という特性を有します。 これまでのエレクトロニクスは、電子の「電荷」としての側面しか利用していません。 半導体中の電子スピンを生成、制御、検出する方法を確立し、従来の半導体電子デバイスにはない機能を探求します。 強磁性体／半導体結合系並びにナノ加工プロセスに精通している人を募集します。

ナノメートルオーダの解像度で３次元的な加工・構造作製ができる技術を研究します。 ３次元的な電子ビームリソグラフィを用いて、自由度の高い３次元ナノ構造形成技術と これによる３次元ナノデバイスの創製を目指します。