西口　克彦

Katsuhiko Nishiguchi
物性科学基礎研究所 量子電子物性研究部

新機能ナノスケールデバイス

2011年4月1日～

平成10年東京工業大学工学部電子物理工学科卒業。平成14年同大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻博士課程終了。同年、日本電信電話株式会社に入社、NTT物性科学基礎研究所勤務。入社以来、低消費電力化・新機能化を目指したナノ構造のシリコン・デバイスの研究に従事。平成20年9月フランス国立科学研究センター（フランス）客員研究員。平成24～25年デルフト工科大学（オランダ）客員研究員。現在、量子電子物性研究部、ナノデバイス研究グループ特別研究員。平成12年応用物理学会講演奨励賞、International Conference on Physics of Semiconductors 2000、 IUAP Young Author Best Paper Award、Materials Research Society 2000 Fall Meeting, Graduate Student Award Silver、平成25年応用物理学会優秀論文賞、平成25年度科学技術分野の文部科学大臣表彰若手科学者賞の各賞を受賞。応用物理学会会員、IEEE会員。

詳しくはこちらのページをご覧ください。