藤原　聡（ふじわら　あきら）　博士（工）

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略歴

  • 1967年　東京生まれ
  • 1989年　東京大学物理工学科卒業
  • 1991年　同大学院工学系研究科（物理工学）修士課程修了
  • 1994年　同大学院工学系研究科（物理工学）博士課程修了 （半導体量子井戸における共鳴電子捕獲に関する研究）
  • 1994年　NTT入社　 LSI研究所勤務
  • 1996年　基礎研究所勤務　
  • 1999年　物性科学基礎研究所勤務
  • 2003年-2004年　米国National Institute of Standards and Technology (NIST, Gaithersburg）客員研究員
  • 200６年より　ナノデバイス研究グループ　グループリーダ
  • 2007年より　物性科学基礎研究所　特別研究員
  • 2011年より　最先端・次世代研究開発支援プログラム（NEXT）　研究代表者
    　　　　　　　　「単電子・少数電荷制御によるシリコン低消費電力ナノデバイス」

    応用物理学会会員(2010-2011応用物理学会理事)、IEEE会員

受賞暦

  • 1996年　第１回応用物理学会講演奨励賞受賞
  • 1998年　SSDM98 Young Researcher Award受賞
  • 1999年　SSDM99 Paper Award 受賞　（共著）
  • 2003年　応用物理学会JJAP論文賞受賞　（主著）
  • 2006年　応用物理学会JJAP論文賞受賞 （共著）
  • 2006年　文部科学大臣表彰若手科学者賞受賞　
    　　　　　　「半導体分野におけるナノ構造の物性制御とデバイス応用の研究」

学会・委員会等活動

  • 2008年　　　IEEE Nanotechnology Materials and Devices (NMDC) 2008 プログラム委員幹事
  • 2008年〜  半導体技術ロードマップ専門委員会(STRJ)  Emerging Research Device(ERD)-WG　特別委員
  • 2009年〜　電気学会　シリコンナノデバイス集積化技術調査専門委員会 委員
  • 2010年〜2011年　応用物理学会　理事　（総務担当理事）
  • 2011年〜　応用物理学会　シリコンテクノロジー研究会　シリコンナノテクノロジー委員会 幹事

非常勤講師等活動

  • 2007年　非常勤講師(東京大学　物理工学特別講義)
  • 2008年　東京工業大学博士論文外部審査委員
  • 2011年　University of New South Wales 博士論文外部審査委員
  • 2011年　東京工業大学博士論文外部審査委員

CV （Curriculum Vitae　含む論文リスト等）





招待講演（筆頭）

[1]      Invited talk scheduled for 2012 Silicon Nanoelectronics Workshop (Dec 2012, Hawaii, USA)

[2]      A. Fujiwara, K. Nishiguchi, and Y. Ono: Single electron transfer technology using Si nanowire MOSFETs, 2010 International Symposium on Atom-scale Silicon Hybrid Nanotechnologies for ‘More-than-Moore’ & ‘Beyond CMOS’ Era (March 1 – 2, 2010, Southampton, UK), Program and Abstracts, pp. 19 – 20.)

[3]      A. Fujiwara, K. Nishiguchi and Y. Ono: Single-electron devices based on silicon nanowire MOSFETs, Trends in Nanotechnology (TNT2009) p.39 (September 7-11, 2009,Barcelona)

[4]      A. Fujiwara, K. Nishiguchi and Y. Ono: Silicon Nanowire MOSFETs and Their Application to Single-Electron Devices, International Conference on Nanoscience and Technology (ChinaNANO) 2009, p. 50-51 (September 1-3, 2009,Beijing)

[5]      A. Fujiwara, K. Nishiguchi, Y. Ono, H. Inokawa, and Y. Takahashi: Silicon Single-Electron Devices and Their Applications, 2008 Tera-level NanoDevices (TND) Technical Forum (Soul, 2008.10.17).

[6]      A. Fujiwara and Y. Takahashi: Si nano-devices using an electron-hole system, 2nd International Conference on Semiconductor Quantum Dots (QD2002) (2002.9).

[7]      A. Fujiwara and Y. Takahashi: Si nano-devices using an electron-hole system, Proceedings of 5th Europian Workshop on Low Temperature Electronics, (Journal de Physiqye IV, 12, No.Pr3), Ed. F Balestra, (WOLTE-5) pp. Pr3-85-Pr3-92 (2002.6).

[8]      A. Fujiwara, K. Yamazaki, and Y. Takahashi: Silicon Single-electron CCD, 2001 Int. Micreprocess and Nanotechnology Conference (MNC) pp. 278-279 (2001.10).

[9]      A. Fujiwara, Y. Takahashi, K. Yamazaki, H. Namatsu, M. Nagase, K. Kurihara, and K. Murase  Single-electron devices: recent attempts towards high performance and functionality, 1999 Int. Conf. Solid State Devices and Materials (SSDM) pp. 248-249 (1999).

[10]  A. Fujiwara, Y. Takahashi, K. Yamazaki, H. Namatsu, M. Nagase, K. Kurihara, and K. Murase: Silicon single-electron devices fabricated by pattern-dependent oxidation (PADOX), Sweden-Japan Joint QNANO Workshop (1998).

[11]  A. Fujiwara, Y. Takahashi, K. Yamazaki, H. Namatsu, M. Nagase, K. Kurihara, and K. Murase: Silicon single-electron devices fabricated by pattern-dependent oxidation (PADOX), International Symposium on Formation, Physics and Device Application of Quantum Dot Structures (QDS98), (1998).

研究テーマ

  • シリコン単電子デバイス
  • シリコンナノ構造の物理
NTT 物性科学基礎研究所
〒243-0198 神奈川県
厚木市森の里若宮3-1
 
最終修正日:2012年1月30日

 

 

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