InAsナノワイヤFETの模式図（左）と走査型電子顕微鏡像（右）		室温におけるナノワイヤFETの出力特性

ゲートオーバラップをもつGate-All-Around InAsナノワイヤFET

　室温での易動度が大きいInAsのナノワイヤをチャネルとする電界効果トランジスタ(FET)を作製した。ゲート電極がチャネルを取り囲んだGate-All-Around構造であり、電流制御性が優れている。さらにゲートがソース・ドレイン電極にオーバラップしているため寄生抵抗が小さく、ナノワイヤFETとしてはトップクラスのON特性が得られている。（36ページ）