NTT物性科学基礎研究所の研究活動 Vol. 24 （2013年度）

表２

口　絵

• Pr₂CuO₄に対するアニール経路と得られた電子相図の違い
• 結合機械共振器におけるフォノンのコヒーレント操作
• ゲートオーバラップをもつGate-All-Around InAsナノワイヤFET
• 光格子中の冷却原子を用いたクラスタ状態生成法の提案
• ダブルオプティカルゲート法を用いた炭素K吸収端(284 eV)領域の単一アト秒 パルス発生
• 半導体ナノワイヤとSiフォトニック結晶によるナノ共振器形成

ごあいさつ

NTT物性科学基礎研究所　組織図

NTT物性科学基礎研究所　所員一覧

• 物性科学基礎研究所
• 機能物質科学研究部
• 量子電子物性研究部
• 量子光物性研究部
• ナノフォトニクスセンタ(NPC)
• 上席特別研究員
• 特別研究員
• アドバイザリボード
• 招聘教授／研究員
• 海外研修生
• 国内実習生

I. 研究紹介

• 各研究部の研究概要
• 機能物質科学研究部の研究紹介
  • イオンビームアシストMBE法による立方晶BN単結晶薄膜の成長
  • 選択成長MOVPEによる窒素極性GaN (000-1)の核成長および螺旋成長
  • 非極性面へのAlGaN量子井戸形成による深紫外発光強度の増大
  • 電荷移動絶縁体の下に隠れた超伝導の出現
  • 通信波長帯発光材料エルビウム－イッテリビウム化合物の作製と発光の広帯域化
  • 極薄六方晶BNの合成とトンネル素子への応用
  • 基板上グラフェンの熱的不安定性
  • 生体信号を取得するための機能性素材「hitoe」
  • ナノバイオデバイスのための細胞骨格様プラットフォームの構築
  • 薬理学的刺激による単一イオンチャネル受容体の構造変化
• 量子電子物性研究部の研究紹介
  • 共振回路を用いた高速・高感度センサ
  • 極低温におけるシリコン単電子転送素子の精度評価
  • 結合機械共振器におけるフォノンのコヒーレント操作
  • 電気機械フォノンレーザ
  • ハイブリッド量子系における量子状態の保存と読み出し
  • 測定強度を変えた量子状態の射影操作
  • 直接ギャップ半導体ヘテロ接合によるトポロジカル絶縁体の実現
  • ゲートオーバラップをもつGate-All-Around InAsナノワイヤFET
  • 有機半導体DNTTをベースとしたMISキャパシタのACアドミッタンス
• 量子光物性研究部の研究紹介
  • 光格子中の冷却原子を用いたクラスタ状態生成法の提案
  • 結合共振器光導波路を用いた単一光子バッファ
  • 実環境下での90 km量子鍵配送システムの長期安定性検証実験
  • グラフェン／鉄上へのInPナノワイヤ成長
  • カーボンナノホーンにおけるトポロジカルラマンバンド
  • ダブルオプティカルゲート法を用いた炭素K吸収端(284 eV)領域の単一アト秒 パルス発生
  • コヒーレントフォノンを用いた量子ドット励起子の発光制御
  • 半導体ナノワイヤとSiフォトニック結晶によるナノ共振器形成
  • 微小な埋め込みヘテロ構造を含むフォトニック結晶InGaAs光ディテクタ
  • 埋込みヘテロ構造フォトニック結晶からの自然放出光の増強と抑制
• ナノフォトニクスセンタの研究紹介
  • 波長サイズ埋込活性層フォトニック結晶(LEAP)レーザの低エネルギー直接変調
  • フランツ・ケルディッシュ効果による導波路結合GeフォトダイオードのLバンド 感度向上

II. 資料

• 第6回NTT 物性科学基礎研究所スクール
• 国際シンポジウムISNTT2013の開催
• BRLセミナー講演一覧
• 社外表彰受賞者一覧
• 社内表彰受賞者一覧
• 報道一覧
• 学術論文掲載件数、国際会議発表件数および出願特許数
• 国際会議招待講演一覧　Ⅰ. 機能物質科学研究部関連
• 国際会議招待講演一覧　Ⅱ. 量子電子物性研究部関連
• 国際会議招待講演一覧　Ⅲ. 量子光物性研究部関連
• 国際会議招待講演一覧　Ⅳ. ナノフォトニクス関連