NTT物性科学基礎研究所

ニュースリリース

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1997年

  • MRS Poster Session Awards1997.12.2
  • First Principles Study of Interface Reaction Atomic Process at Silicon Oxidation
  • 影島 博之,白石 賢二
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  • 応用物理学会 講演奨励賞1997.10.2
  • 硫黄吸着GaAs(001)表面におけるS-As置換反応過程の放射光による観察
  • 杉山 宗弘
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  • 応用物理学会 講演奨励賞1997.10.2
  • Si(111)ヨ3xヨ3-B表面上のSi成長層の構造と安定性
  • 日比野 浩樹
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  • 応用物理学会 講演奨励賞1997.10.2
  • 低温薄膜成長による新酸化物超伝導体Ba-Cu-Oの合成
  • 山本 秀樹
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  • SSDM Award1997.09.16
  • High Speed Bipolar ICs Using Super Self-Aligned Process Technology
  • 酒井 徹志,小林 由治,山内 寛紀,佐藤 政明,牧野 孝裕
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  • マイクロプロセス・ナノ工学国際会議 Most Impressive Poster賞1997.07.13
  • High-Aspect-Ratio Nanometer-Pattern Fabrication Using Fullerene-Incorporated Nanocomposite Resists for Dry-Etching Application.
  • 柴田 知尋,石井 哲好,野澤 博,玉村 敏昭
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  • 応用物理学会 講演奨励賞1997.03.28
  • 結合量子ドット系の共鳴フォトンアシストトンネルと誘導放出
  • 藤澤 利正
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  • 応用物理学会 講演奨励賞1997.03.28
  • 6枚以下のCuO2面からなるLa2-xSrxCuO4超薄膜の超伝導
  • 佐藤 寿志
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  • 応用物理学会 講演奨励賞1997.03.28
  • 光励起によるSi単電子島の電子数零状態の決定
  • 藤原 聡
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