Akira Fujiwara
物性科学基礎研究所 量子電子物性研究部
半導体ナノ構造を用いた極限エレクトロニクス
2015年4月1日 ~
平成元年東京大学工学部物理工学科卒業。平成6年同大学院工学系研究科物理工学専攻博士課程修了。同年、日本電信電話株式会社に入社、LSI研究所勤務。平成8年に基礎研究所、平成11年よりNTT物性科学基礎研究所。入社以来、シリコンナノ構造の物性制御とそのデバイス応用、単電子デバイスの研究に従事。平成15~16年アメリカ国立標準技術研究所(アメリカ)客員研究員。平成19年より特別研究員。平成27年より上席特別研究員。平成22~23年に応用物理学会理事、平成25年に北海道大学客員教授。現在、量子電子物性研究部長/ナノデバイス研究グループ上席特別研究員。平成10年国際固体素子・材料コンファレンスSSDM'98 Young Researcher Award、平成11年SSDM'99 Paper Award、平成15、18、25年日本応用物理学会JJAP論文賞、平成18年文部科学大臣表彰若手科学者賞、平成29年文部科学大臣表彰科学技術賞(研究部門)の各賞を受賞。平成22~25年度に最先端・次世代研究開発支援プログラム(NEXT)、平成30年度より科研費基盤研究S「単電子制御による量子標準・極限計測技術の開発」の研究代表者。応用物理学会会員、平成30年より日本学術会議連携会員、IEEEフェロー。
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