１９９１年３月　東京工業大学　工学部　化学工学科　卒業

１９９６年３月　東京工業大学大学院　総合理工学研究科　電子化学専攻　修了　博士（工学）
博士論文　 " In situ observation with spectroscopic ellipsometry during low temperature growth of polycrystalline silicon on glass substrate"

１９９６年４月～　日本電信電話（株）　NTT基礎研究所（現　NTT物性科学基礎研究所）

・受賞歴
2005年3月　NTT物性科学基礎研究所　所長表彰　平成16年度論文賞
赤坂哲也

2012年12月　　NTT先端技術総合研究所　所長表彰　平成24年度研究開発賞
小林康之　熊倉一英　赤坂哲也　Yoshiharu Krockenberger　山本秀樹

2013年3月　NTT物性科学基礎研究所　所長表彰　平成24年度業績賞
小林康之　熊倉一英　赤坂哲也

2014年3月　ISPlasma 2014 / IC-PLANTS 2014 Best Presentation Award (Oral)
Chia-Hung Lin, Tetsuya Akasaka and Hideki Yamamoto

・指導教育歴
2017年4月～　拓殖大学 非常勤講師 「電子材料・物性」

2011年10月～2012年4月　Supervisor　in The Canada-Japan Co-op Program
http://thecoopjapanprogram.com/

2015年2月23日　立命館大学　電気電子工学科　名西・荒木研究室セミナー講演
”ステップフリーGaNとその応用”

2015年9月～2016年8月　ヴルカヌス・イン・ジャパン　受入企業・研修担当者
http://www.eu-japan.eu/ja

2016年1月9日　立命館大学　電気電子工学科　名西・荒木研究室セミナー講演
”窒素極性GaN(000-1)のヒルロック形成と抑制機構”

・学会委員等
2004年3月～2005年7月　電子材料シンポジウム　会計委員

・公的資金獲得状況
平成18～21年度　科学研究費補助金　基盤研究（A)　研究分担者
課題番号：18206004
研究課題名：六方晶BN窒化物半導体に関する研究

平成22～24年度　科学研究費補助金　基盤研究（B)　研究代表者
課題番号：22360013
研究課題名：窒化物半導体ステップフリー構造の研究

平成28～30年度　科学研究費補助金　基盤研究（B)　研究代表者
課題番号：16H03862
研究課題名：窒化物半導体ステップフリー面を利用した新規分子層エピタキシ