山本秀樹のページ » NTT物性科学基礎研究所 上席特別研究員

既知の物質の高品質な薄膜を作製することは、物質・材料を、機能を発現する接合や素子に昇華させる上で不可欠ですが、一部の半導体材料を除いては、化合物の薄膜を再現性良く作製すること自体が挑戦です。ところが、ひとたび、この壁を越えると、素子作製にとどまらない２つの新しい世界が開けます。1つは、バルクを凌ぐ品質の薄膜試料を用いた物性研究の世界、もうひとつは、世の中に存在しない新物質の薄膜合成の世界です。我々は、NTT独自の組成制御技術を活かした分子線エピタキシー法(MBE法)を用いて、主に複合酸化物材料に対してそのような世界を切り拓いてきました。最近では、機械学習の手法も取り入れ、薄膜を用いた研究をさらに先鋭化させています。

（最終更新日：2020年11月10日）

代表的な研究成果

  • MBE法による遷移金属ダイカルコゲナイド薄膜の作製
    • J. Vac. Sci. Technol. A12, 125 (1994).
    • Appl. Phys. Express 9, 115501(2016).
  • MBE成長したNb超薄膜での超伝導発現と膜厚依存性解明
    • Phys. Rev. B 52 13570 (1995).
  • 6枚以下のCuO2面のみからなるLa2-xSrxCuO4超薄膜における超伝導
    • Physica C 274, 227 (1997).
  • MBE薄膜のその場観察光電子分光とトンネル測定によるNd2-xCe0.15CuO4薄膜の表面・界面電子状態の解明
    • Phys. Rev. B 56, 2852 (1997).
    • Physica C 412-414, 134 (2004).
  • MBE法による新超伝導体Ba2CuO4±δ、Sr2CuO4±δの薄膜合成
    • Jpn. J. Appl. Phys. 36, L341 (1997).
    • Physica C 338, 29 (2000).
    • Jpn. J. Appl. Phys. 40, L127 (2001).
  • 新超伝導体(La, RE)2CuO4 (RE = rare-earth element)の薄膜合成
    • Solid State Commun. 133, 427 (2005).
    • Physica C 470, S88 (2010).
    • Phys. Rev. B 89, 18508(R) (2014).
  • 新超伝導体RE2CuO4 (RE = rare-earth element)の薄膜合成
    • Phys. Rev. B 79, 100508(R) (2009).
    • Solid State Commun. 151, 771 (2011).
    • Physica C 471, 686 (2011).
    • Sci. Rep. 3, 2235 (2013).
    • J. Phys. Soc. Jpn. 83, 114602 (2014).
    • Appl. Phys. Express 8, 053101 (2015).
  • 新超伝導体RE2CuO4 (RE = rare-earth element)の電子状態解明
    • Phys. Rev. Lett. 120, 257001 (2018).
    • Phys. Rev. B 98, 020505(R) (2018).
    • Nat. Phys. 15, 335 (2019).
    • Phys. Rev. B 99, 045105 (2019).
  • MBE法による無限層構造超伝導体(Sr, La)CuO2の世界最高品質単結晶の作製
    • Appl. Phys. Express 5, 043101 (2012).
  • 強磁性導電体SrRuO3薄膜のMBE成長とその場観察光電子分光
    • Phys. Rev. B 76, 075126 (2007).
  • ステップフリーGaN上に形成したInN単一量子井戸からの超狭線発光
    • Adv. Mat. 24, 4296 (2012).
  • BN犠牲層を用いたInGaN/GaN LEDおよびAlGaN/GaN HEMTの転写
    • Appl. Phys. Express 5, 072102 (2012).
    • Appl. Phys. Express 105, 193509 (2014).
  • 窒化物半導体のMOVPE成長における２次元核成長とスパイラル成長のメカニズムの解明
    • Jpn. J. Appl. Phys. 36, L341 (1997).
    • Physica C 338, 29 (2000).
    • Jpn. J. Appl. Phys. 40, L127 (2001).
  • イオンビームアシストMBE法による立方晶BN単結晶薄膜の作製
    • Appl. Phys. Lett. 104, 092113 (2014).
    • Appl. Phys. Express 10, 035501 (2017).
  • 銅酸化物超伝導体薄膜初の量子振動現象の観測
    • Phys. Rev. B 94, 104514 (2016).
  • 機械学習によるスペクトル測定の高効率化と機械学習援用MBE法
    • Appl. Phys. Express 11, 112401 (2018).
    • APL. Mater. 7, 101114 (2019).
  • 絶縁体中で最高のキュリー温度を有する新磁性体Sr3OsO6のMBE合成
    • Nat. Commun. 10, 535 (2019).
  • 超高品質SrRuO3薄膜を用いた磁性ワイル半金属状態の実証とその伝導特性解明
    • Nat. Commun. 11, 4969 (2020).