特別な形状に量子細線ネットワークを作製すると、磁性元素を含まない半導体材料だけで強磁性が発現する可能性を理論的に初めて予言した。局所スピン密度汎関数法を用いた計算を行うと、量子ドット列がInAs量子細線（0.104μm幅）の交差点上に形成されて平坦バンドを持つカゴメ格子を作り、その平坦バンドに電子が半分詰まっているときに強磁性が基底状態となることが示される。半導体を用いると印可電圧によりバンドに入る電子数の制御が可能で、これにより強磁性を自在にスイッチオン・オフ出来るのが大きな特徴である。

⇒スピントロニクス研究グループ

 参考文献 Applied Physics Letters 78,3702 (2001 2001.10.31～掲載分