ＮＴＴ物性科学基礎研究所は、すべての半導体の中で最も短い波長で発光することが理論的に予測されている窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を用いた発光ダイオードの動作に世界で初めて成功しました。これまで、水銀ランプなどのガス光源でしか実現できなかった、波長200～300nm(ナノメートル、ナノは10億分の１)の遠紫外領域の光源を半導体化でき、環境にやさしく、小型化、高信頼化させることができます。

ＡｌＮ素子の発光波長は210nmと遠紫外光のなかでも最も短い領域であるため、紫外光の有効作用である分解能力も高く、近年、社会問題化しているダイオキシン、ＰＣＢなどの高安定な有害物質分解など環境保全装置への応用が見込まれます。また、半導体による発光ダイオードであるため、従来の水銀ランプと違い、環境の観点から無害であるばかりでなく、高出力化した遠紫外半導体レーザができれば、数十nmの微細構造加工装置で用いられているガスレーザを代替し、小型化、高信頼化、高効率化が期待できます。

今回の成果は、英国の科学誌「ネイチャー」（5月18日号）に掲載される予定です。
Yoshitaka Taniyasu, Makoto Kasu, and Toshiki Makimoto, "An aluminium nitride light-emitting diode with a wavelength of 210 nanometres", Nature (18 May, 2006).

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