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酸化物における磁性ワイル半金属状態の実現 |
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GeMnグラニュラー薄膜における磁気抵抗の解明 |
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CoFe2O4の磁気的デッドレイヤーの起源を解明 |
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機械学習を活用した高効率スペクトル測定 |
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ダブルペロブスカイト絶縁体Sr3OsO6における1000 K以上での強磁性 |
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機械学習援用分子線エピタキシーによるSrRuO3薄膜の高品質化 |
全ての強磁性体および酸化物の中で最高のキュリー温度を持つ新物質Sr3OsO6を合成しました。 本物質のキュリー温度は1000 Kを超え、これは、絶縁体のキュリー温度を88年ぶりに100 K以上更新することになります。 また、密度汎関数理論に基づく計算により、Sr3OsO6の強磁性絶縁状態が、5d遷移元素であるOs(オスミウム)の大きなスピン軌道相互作用に由来する Jeff = 3/2の強磁性絶縁状態であることを明らかにしました。
Y. K. Wakabayashi*, et al.
Nature communications 10, 535 (2019).
© Yuki K. Wakabayashi All Rights Reserved.