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スピンを利用した新機能デバイス

従来のエレクトロニクスでは、電子の持つ「電荷」の流れで｢0｣と｢1｣を表現しておりました。スピントロニクスデバイスは、電子の「スピン」の向きで｢0｣と｢1｣を表現します。

Research Topics

低電子密度2次元電子系の非線形遮蔽・線形遮蔽領域の発光分光
分子線エピタキシによって成長したGaAs量子井戸を用いて作製するゲート付非ドープ量子井戸では、ゲートバイアスによって電子を量子井戸に誘起することで、半導体試料において高品質な低密度2次元電子系を形成できる。…
ラップゲート構造を有するIn0.75Ga0.25As量子ポイントコンタクト
InGaAsを用いたQPCやQDと超伝導電極を組み合わせることで、低次元性に由来した電子状態やスピン相関をアンドレーエフ反射によって検出できる可能性があり、基礎物理探求の観点から興味深い。我々は、QPC構造の作製方法を改良し、従来困難であったInGaAsをベースにした良好なQPCの実現に成功した。 …
半導体量子ドットにおける近藤効果のスピン蓄積による制御
我々は強磁場中の量子細線におけるスピンフィルタの特性を向上させることで、90%以上スピン偏極したスピン偏極電流を生成した。また量子ドットの片方の電極に上向きスピンのみを蓄積することで、近藤効果が連続的に変調される様子を観測することに成功した。…
逆近接効果を考慮したアンドレーフ反射分光によるp-In0.96Mn0.04Asのスピン偏極度評価
超伝導体／強磁性体(S-F)接合は、超伝導と強磁性体中のスピン偏極との競合により新しい量子現象が期待されるため、基礎物性、応用の両面から大いに興味を持たれている。…
ゲート電圧によるスピン制御
半導体スピントロニクスでは，電子の「電荷」とともに「スピン」が重要な役割を果たす。我々は、半導体二次元電子ガス中のスピン軌道相互作用がゲート電圧による電界により制御可能であることを実験的に確認した。…

What's New

  1. March 1st, 2012, Spintronics research group web site is updated.