Last update: 2017/2/28
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Since 2007/6/7

量子固体物性研究グループ

我々は,半導体ナノ構造における量子効果やキャリア相間による多体効果の研究を行っています. 現在の主なテーマは,GaAsやSi,カーボン材料を用いて形成した量子ドットにおける電荷およびスピンダイナミクス, GaAs/AlGaAsやSi/SiO2ヘテロ構造によって形成された2次元系における量子多体効果,低温ナノプローブを用いた半導体表面状態の測定です. 主な実験設備は,分子線エピタキシ装置,電子線描画装置,低温走査型トンネル顕微鏡,希釈冷凍機等です.

新着情報
  • 2017/7/1, 新リサーチスペシャリスト: 橋坂 昌幸

  • 2017/4/19, "Highly gate-tuneable Rashba spin-orbit interaction in a gate-all-around InAs nanowire metal-oxide-semiconductor field-effect transistor"
    K. Takase, Y. Ashikawa, G. Zhang, K. Tateno, and S. Sasaki,
    Scientific Reports 6, 38393 (2016).

  • 2017/4/1, 新ポスドク: 高橋 文雄

  • 2017/3/31, 福岡工業大学へ転出: 鈴木 恭一

  • 2017/1/9, 新実習生: Dino Ibrahimagic

  • 2016/12/21, ESPCIへ異動: Francois Couedo

  • 2016/12, NTTでの実習終了: Harry Parke

  • 2016/12, NTTでの実習終了: Ruben Ohana

  • 2016/12/9, "Quantum Hall effect in epitaxial graphene with permanent magnets"
    F. D. Parmentier, T. Cazimajou, Y. Sekine, H. Hibino, H. Irie, D. C. Glattli, N. Kumada, and P. Roulleau,
    Scientific Reports 6, 38393 (2016).

  • 2016/11/30, NTTでの実習終了: Paul Brasseur

  • 2016/11/10, "Engineering quantum spin Hall insulators by strained-layer heterostructures"
    T. Akiho, F. Couedo, H. Irie, K. Suzuki, K. Onomitsu, and K. Muraki,
    Appl. Phys. Lett. 109, 192105 (2016).

  • 2016/10/13, "Andreev reflection and bound state formation in a ballistic two-dimensional electron
    gas probed by a quantum point contact"
    Hiroshi Irie, Clemens Todt, Norio Kumada, Yuichi Harada, Hiroki Sugiyama, Tatsushi Akazaki, and Koji Muraki,
    Phys. Rev. B 94, 155305 (2016).

  • 2016/10/3, 新ポスドク: Ngoc Han Tu

  • 2016/7/11, 新実習生: Ohana Ruben

  • 2016/7/8, "Single-edge transport in an InAs/GaSb quantum spin Hall insulator"
    Francois Couedo, Hiroshi Irie, Kyoichi Suzuki, Koji Onomitsu, and Koji Muraki,
    Phys. Rev. B 94, 035301 (2016).

  • 2016/7/7, 新実習生: Parke Harry

History
3-1 Morinosato-Wakamiya, Atugi, Kanagawa 243-0198, Japan
Qauntum Solid State Physics Research Group
NTT Basic Research Laboratories
NTT