NTT物性科学基礎研究所の研究活動 Vol. 26 （2015年度）

表２

ごあいさつ

組織図

所員一覧

• 物性科学基礎研究所
• 機能物質科学研究部
• 量子電子物性研究部
• 量子光物性研究部
• ナノフォトニクスセンタ
• 上席特別研究員
• 特別研究員
• アドバイザリボード
• 海外研修生
• 国内実習生

I. 研究紹介

• 各研究部の研究概要
• 機能物質科学研究部の研究紹介
  • c-BN薄膜のイオンビームアシストMBE成長におけるイオン照射効果
  • III族原料流量変調エピタキシにより成長したヒルロックフリー窒素極性GaN(0001)薄膜
  • エッジマグネトプラズモンの寿命問題の解決
  • グラフェンへの歪み印加－グラフェンの歪みエンジニアリングに向けて
  • 通信波長帯光学利得材料の開発：Er-Scシリケイト
  • As-grown Pr₂CuO₄超伝導薄膜の合成
  • オンチップ型酸化グラフェンアプタセンサ：2本鎖DNAスペーサを用いた高感度化
  • 走査型イオンコンダクタンス顕微鏡によるアポトーシス初期過程の神経細胞のライブ イメージング
  • ナノピラーアレイ上の神経細胞成長
• 量子電子物性研究部の研究紹介
  • MoS₂/SiO₂/Siヘテロ構造で構成されたトンネル・ダイオード ～MoS₂のバンドギャップ構造の分析～
  • シリコン可変障壁ポンプによる高速単正孔転送
  • 単電子フィードバック制御によるシリコンナノトランジスタ中の熱ゆらぎの抑制
  • 半導体ヘテロ構造における励起子遷移を用いたオプトメカニクス
  • 光照射を用いた室温における機械振動モード間の結合制御
  • 不安定系との結合による量子ビットのコヒーレンス時間の改善
  • 超伝導フラックス量子ビットにおける量子ゼノン効果の観測
  • 電子スピン集団に直接結合したSQUID磁束計による電子スピン共鳴
  • 量子ホール効果領域におけるグラフェンp-n接合のショットノイズ測定
  • ゲート制御によるInAs/GaSbヘテロ構造の半金属-トポロジカル絶縁体転移
  • エピタキシャルグラフェンにおけるランダウ準位の非局在状態幅測定
• 量子光物性研究部の研究紹介
  • コヒーレントラマンビート分光によるY₂SiO₅結晶中の¹⁶⁷Er³⁺イオンの超微細構造サブ準位間の位相緩和特性の解明
  • 相互位相変調を用いた決定論的な単一光子波長変換
  • 光円錐におけるエンタングルメントの類似構造
  • 全光都市間量子鍵配送
  • 不完全な光源を用いた量子鍵配送の有限長効果を取り入れた安全性解析
  • ファノ共鳴下におけるp型シリコンのフォノン緩和定数の決定
  • コリニアな2f-3f自己参照干渉計によるエルビウムドープファイバレーザの周波数安定化
  • 永久スピンらせん状態を用いた電子スピンの長距離輸送
  • 埋め込み量子井戸フォトニック結晶レーザの無閾値動作
  • ナノワットレベルで動作する波長サイズ全光ナノ共振器メモリ
  • ナノ共振器の双安定動作を用いた全光パケットスイッチ
• ナノフォトニクスセンタの研究紹介
  • SiOxスポットサイズ変換器を集積したオンSiメンブレン分布反射型レーザ
  • Si基板上にMOVPE成長したGaAs/Ge構造の熱サイクルアニールによる転位低減

II. 資料

• 第7回NTT物性科学基礎研究所スクール
• 国際シンポジウムISNTT2015
• BRLセミナー 講演一覧
• 表彰受賞者一覧
• 報道一覧
• 学術論文掲載件数と主な掲載先
• 国際会議発表件数と主な発表先
• 特許出願件数
• 学術論文出版一覧
• 国際会議招待講演一覧